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2N1482 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 2N1482은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N1482 자료 제공

부품번호 2N1482 기능
기능 (2N1479 - 2N1482) NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


2N1482 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N1482 데이터시트, 핀배열, 회로
TECHNICAL DATA
NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/207
Devices
Qualified Level
2N1479
2N1480
2N1481
2N1482
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base-Current
Total Power Dissipation @ TA = 250C
Operating & Storage Junction Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IC
IB
PT
TJ, Tstg
Symbol
RθJC
2N1479
2N1481
40
2N1480
2N1482
55
60 100
12
1.5
1.0
1.0
-65 to +200
Max.
35
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 250C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 50 mAdc
2N1479, 2N1481
2N1480, 2N1482
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
VEB = 1.5 Vdc, IC = 0.25 mAdc
VEB = 1.5 Vdc, IC = 0.25 mAdc
2N1479, 2N1481
2N1480, 2N1482
V(BR)CEX
Collector-Base Cutoff Current
VCB = 30 Vdc
2N1479, 2N1481
ICBO
VCB = 50 Vdc
2N1480, 2N1482
Emitter-Base Cutoff Current
VEB = 12 Vdc
IEBO
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
0C
Unit
0C/W
Min.
40
55
60
100
TO-5*
*See Appendix A for
Package Outline
Max.
Unit
Vdc
Vdc
5.0 µAdc
5.0
10 µAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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