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FDZ293P 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDZ293P은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDZ293P 자료 제공

부품번호 FDZ293P 기능
기능 P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDZ293P 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDZ293P 데이터시트, 핀배열, 회로
Feb 2006
FDZ293P
P-Channel 2.5 V Specified PowerTrench® BGA MOSFET
General Description
Combining Fairchild’s advanced 2.5V specified
PowerTrench process with state of the art BGA
packaging, the FDZ293P minimizes both PCB space
and rDS(on). This BGA MOSFET embodies a
breakthrough in packaging technology which enables
the device to combine excellent thermal transfer
characteristics, high current handling capability, ultra-
low profile packaging, low gate charge, and low rDS(on).
Applications
Battery management
Load switch
Battery protection
G AT E
Features
–4.6 A, –20 V
rDS(on) = 46 m@ VGS = –4.5 V
rDS(on) = 72 m@ VGS = –2.5 V
Occupies only 2.25 mm2 of PCB area.
Less than 50% of the area of a SSOT-6
Ultra-thin package: less than 0.85 mm height when
mounted to PCB
Outstanding thermal transfer characteristics:
4 times better than SSOT-6
Ultra-low Qg x rDS(on) figure-of-merit
High power and current handling capability.
S
G
Bottom
Top
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
Parameter
VDS Drain-Source Voltage
VGS Gate-Source Voltage
ID Drain Current – Continuous
(Note 1a)
– Pulsed
PD
TJ, TSTG
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1a)
(Note 1)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
B
FDZ293P
13”
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation
D
Ratings
–20
±12
–4.6
–10
1.7
–55 to +150
72
2
Tape width
8mm
Units
V
V
A
W
°C
°C/W
Quantity
10000 units
FDZ293P Rev. D (W)




FDZ293P pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
5
ID = -4.6A
4
3
2
1
0
02
VDS = -5V
-10V
-15V
46
Qg, GATE CHARGE (nC)
8
10
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
100
rDS(on) LIMIT
10
1
VGS = -4.5V
0.1
SINGLE PULSE
RθJA = 157oC/W
TA = 25oC
100µs
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
1200
1000
800
600
400
200
0
0
f = 1MHz
VGS = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 8. Capacitance Characteristics.
20
SINGLE PULSE
RθJA = 157°C/W
TA = 25°C
15
10
5
0
0.01
0.1
1 10
t1, TIME (sec)
100
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1000
1
0.1
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA = 157 °C/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDZ293P Rev. D (W)

4페이지












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