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IRFPS29N60L 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRFPS29N60L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IRFPS29N60L 자료 제공

부품번호 IRFPS29N60L 기능
기능 SMPS MOSFET
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRFPS29N60L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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IRFPS29N60L 데이터시트, 핀배열, 회로
PD - 94622
SMPS MOSFET IRFPS29N60L
Applications
Zero Voltage Switching SMPS
Telecom and Server Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor Control applications
HEXFET® Power MOSFET
VDSS RDS(on) typ. Trr typ. ID
600V 175m130ns 29A
Features and Benefits
SuperFast body diode eliminates the need for external
diodes in ZVS applications.
Lower Gate charge results in simpler drive requirements.
Enhanced dv/dt capabilities offer improved ruggedness.
Higher Gate voltage threshold offers improved noise immunity.
Super-247™
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V
™IDM Pulsed Drain Current
PD @TC = 25°C Power Dissipation
Max.
29
18
110
480
Units
A
W
VGS
dv/dt
TJ
TSTG
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
dPeak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
3.8
±30
12
-55 to + 150
W/°C
V
V/ns
°C
Soldering Temperature, for 10 seconds
300 (1.6mm from case )
Mounting torque, 6-32 or M3 screw
Diode Characteristics
1.1(10)
N•m (lbf•in)
Symbol
IS
Parameter
Continuous Source Current
Min. Typ. Max. Units Conditions
––– ––– 29
MOSFET symbol
(Body Diode)
ÃcISM Pulsed Source Current
(Body Diode)
VSD Diode Forward Voltage
trr Reverse Recovery Time
Qrr Reverse Recovery Charge
IRRM
ton
www.irf.com
Reverse Recovery Current
Forward Turn-On Time
A showing the
––– ––– 110
integral reverse
––– ––– 1.5
fp-n junction diode.
V TJ = 25°C, IS = 29A, VGS = 0V
––– 130 190 ns TJ = 25°C, IF = 29A
f––– 240 360
TJ = 125°C, di/dt = 100A/µs
f––– 630 950 nC TJ = 25°C, IS = 29A, VGS = 0V
f––– 1820 2720
TJ = 125°C, di/dt = 100A/µs
––– 9.4 14 A TJ = 25°C
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
1
2/6/03




IRFPS29N60L pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRFPS29N60L
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
1000
Coss
100
10
1
Crss
10 100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1000
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0 100 200 300 400 500 600 700
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typ. Output Capacitance
Stored Energy vs. VDS
20
ID= 28A
16
12
VDS= 480V
VDS= 300V
VDS= 150V
8
4
0
0 40 80 120 160 200 240
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
4
1000.00
100.00
10.00
TJ = 150°C
1.00 TJ = 25°C
0.10
0.2
VGS = 0V
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
1.6
Fig 8. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
www.irf.com

4페이지










IRFPS29N60L 전자부품, 판매, 대치품
IRFPS29N60L
1200
1000
800
ID
TOP 13A
18A
BOTTOM 29A
600
400
200
0
25 50 75 100 125 150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 14a. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
15V
VDS
L
DRIVER
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01
+
- VDD
A
Fig 14b. Unclamped Inductive Test Circuit
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K
12V .2µF
.3µF
+
D.U.T. -VDS
VGS
3mA
IG ID
Current Sampling Resistors
Fig 15a. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
V(BR)DSS
tp
IAS
Fig 14c. Unclamped Inductive Waveforms
VGS V
QGS
VG
QG
QGD
Charge
Fig 15b. Basic Gate Charge Waveform
7

7페이지


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