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IRL3713PbF 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRL3713PbF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 IRL3713PbF 자료 제공

부품번호 IRL3713PbF 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRL3713PbF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

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IRL3713PbF 데이터시트, 핀배열, 회로
SMPS MOSFET
Applications
l High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
l 100% RG Tested
l Lead-Free
VDSS
30V
PD - 97011B
IRL3713PbF
IRL3713SPbF
IRL3713LPbF
HEXFET® Power MOSFET
RDS(on) max (mW) ID
3.0@VGS = 10V
260A†
Benefits
l Ultra-Low Gate Impedance
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRL3713PbF
D2Pak
TO-262
IRL3713SPbF IRL3713LPbF
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDS
VGS
ID @ TC = 25°C
ID @ TC = 100°C
IDM
PD @TC = 25°C
PD @Tc = 100°C
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
cPulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
TJ, TSTG
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max
30
± 20
h260
h180
h1040
330
170
2.2
-55 to +175
Units
V
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Symbol
iRθJC
fRqCS
fiRθJA
giRθJA
Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Typ Max Units
––– 0.45*
0.50
–––
–––
62
°C/W
––– 40
* RθJC (end of life) for D2Pak and TO-262 = 0.50°C/W. This is the maximum measured value after 1000 temperature
cycles from -55 to 150°C and is accounted for by the physical wearout of the die attach medium.
Notes  through ‡ are on page 11
www.irf.com
1
07/22/05




IRL3713PbF pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRL3713/S/LPbF
100000
10000
1000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
100
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
14 ID = 30A
12
10
VVVDDDSSS
=
=
=
24V
15V
6V
8
6
4
2
0
0 40 80 120
QG , Total Gate Charge (nC)
160
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000
100 TJ = 175° C
10
TJ = 25° C
1
0.1
0.2
VGS = 0 V
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VSD ,Source-to-Drain Voltage (V)
1.6
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
4
10000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY RDS(on)
1000
10us
100us
100
TC = 25° C
TJ = 175° C
Single Pulse
10
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1ms
10ms
100
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com

4페이지










IRL3713PbF 전자부품, 판매, 대치품
IRL3713/S/LPbF
D.U.T
+
‚
-

RG
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
ƒ
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
- „+
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
+
- VDD
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
VGS=10V *
D.U.T. ISD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. VDS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Curent
Forward Drop
VDD
Ripple 5%
ISD
* VGS = 5V for Logic Level Devices
www.irf.com
Fig 14. For N-Channel HEXFET® Power MOSFETs
7

7페이지


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