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2N7371 데이터시트 PDF




Microsemi Corporation에서 제조한 전자 부품 2N7371은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 2N7371 자료 제공

부품번호 2N7371 기능
기능 PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
제조업체 Microsemi Corporation
로고 Microsemi Corporation 로고


2N7371 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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2N7371 데이터시트, 핀배열, 회로
TECHNICAL DATA
PNP DARLINGTON HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
Qualified per MIL-PRF-19500/623
Devices
Qualified Level
2N7371
JAN, JANTX
JANTXV
www.DataSheet4U.com
MAXIMUM RATINGS
Ratings
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Base Current
Collector Current
Total Power Dissipation @ TC = +250C (1)
Operating & Storage Junction Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction-to-Case
1) Derate linearly 0.667 W/0C above TC > +250C
Symbol
VCEO
VCBO
VEBO
IB
IC
PT
TJ, Tstg
Value
100
100
5.0
0.2
12
100
-65 to +175
Units
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
0C
Symbol
RθJC
Max.
1.5
Unit
0C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 100 mAdc
Collector-Emitter Cutoff Current
VCEO(sus)
VCE = 50 Vdc
Collector-Emitter Cutoff Current
ICEO
VCE = 100 Vdc, VBE = 1.5 Vdc
Emitter-Base Cutoff Current
ICEX
VEB = 5.0 Vdc
IEBO
TO-254AA*
*See Appendix A for
package outline
Min. Max.
Unit
100 Vdc
1.0 mAdc
0.5 mAdc
2.0 mAdc
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803
120101
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