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IRLU7807ZPBF 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 IRLU7807ZPBF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 IRLU7807ZPBF 자료 제공

부품번호 IRLU7807ZPBF 기능
기능 HEXFET Power MOSFET
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


IRLU7807ZPBF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 11 페이지수

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IRLU7807ZPBF 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
PD - 95777A
IRLR7807ZPbF
IRLU7807ZPbF
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
l Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET
VDSS RDS(on) max Qg (typ.)
30V 13.8m7.0nC
Benefits
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
l Ultra-Low Gate Impedance
l Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRLR7807Z
I-Pak
IRLU7807Z
Absolute Maximum Ratings
Parameter
VDS Drain-to-Source Voltage
VGS
ID @ TC = 25°C
ID @ TC = 100°C
IDM
PD @TC = 25°C
PD @TC = 100°C
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS @ 10V
™Continuous Drain Current, VGS @ 10V
Pulsed Drain Current
gMaximum Power Dissipation
gMaximum Power Dissipation
TJ
TSTG
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
RθJC
Junction-to-Case
RθJA Junction-to-Ambient (PCB Mount)
RθJA Junction-to-Ambient
Notes  through … are on page 11
www.irf.com
Max.
30
± 20
43f
30f
170
40
20
0.27
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
Typ.
–––
–––
–––
Max.
3.75
50
110
Units
V
A
W
W/°C
°C
Units
°C/W
1
12/8/04




IRLU7807ZPBF pdf, 반도체, 판매, 대치품
IRLR/U7807ZPbF
10000
1000
100
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = C gs + Cgd, C ds
Crss = C gd
Coss = C ds + Cgd
SHORTED
Ciss
Coss
Crss
10
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
100
12
ID= 12A
10
VDS= 24V
VDS= 15V
8
6
4
2
0
0 4 8 12
QG Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Source Voltage
16
1000.0
100.0
TJ = 175°C
10.0
1000
100
10
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100µsec
1.0
0.1
0.0
TJ = 25°C
VGS = 0V
0.5 1.0 1.5
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
2.0
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
4
1msec
1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
0.1
0.1 1.0
10msec
10.0 100.0
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
1000.0
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com

4페이지










IRLU7807ZPBF 전자부품, 판매, 대치품
IRLR/U7807ZPbF
+
‚
-

RG
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
ƒ Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
- Low Leakage Inductance
Current Transformer
-„ +
D.U.T. ISD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery
dv/dt
dv/dt controlled by RG
Driver same type as D.U.T.
VDD
+
ISD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
-
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Curent
Forward Drop
Ripple 5%
* VGS = 5V for Logic Level Devices
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET® Power MOSFETs
*VGS=10V
VDD
ISD
Id
Vds
Vgs
Vgs(th)
www.irf.com
Qgs1 Qgs2 Qgd
Qgodr
Fig 16. Gate Charge Waveform
7

7페이지


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