|
|
|
부품번호 | P2HNC60F 기능 |
|
|
기능 | STP2HNC60FP | ||
제조업체 | STMicroelectronics | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
STP2HNC60
STP2HNC60FP
N-CHANNEL 600V - 4Ω - 2.2A TO-220/TO-220FP
PowerMesh™II MOSFET
TYPE
VDSS
RDS(on)
ID
STP2HNC60
STP2HNC60FP
600 V
600 V
<5Ω
<5Ω
2.2 A
2.2 A
s TYPICAL RDS(on) = 4 Ω
s EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
s 100% AVALANCHE TESTED
s NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
s GATE CHARGE MINIMIZED
DESCRIPTION
The PowerMESH™II is the evolution of the first
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-
finements introduced greatly improve the Ron*area
figure of merit while keeping the device at the lead-
ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.
www.DataSheet4U.com
APPLICATIONS
s HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
s SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
s DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER
3
2
1
TO-220
3
2
1
TO-220FP
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
VDS
VDGR
VGS
Drain-source Voltage (VGS = 0)
Drain-gate Voltage (RGS = 20 kΩ)
Gate- source Voltage
ID Drain Current (continuos) at TC = 25°C
ID Drain Current (continuos) at TC = 100°C
IDM (q) Drain Current (pulsed)
PTOT
Total Dissipation at TC = 25°C
Derating Factor
dv/dt
Peak Diode Recovery voltage slope
VISO
Tstg
Tj
Insulation Withstand Voltage (DC)
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
(•)Pulse width limited by safe operating area
.
May 2001
Value
Unit
STP2HNC60 STP2HNC60FP
600 V
600 V
± 30 V
2.2
2.2(*)
A
1.4
1.4(*)
A
8.8
8.8(*)
A
60 30 W
0.48 0.24 W/°C
3.5 V/ns
--
2000
V
–65 to 150
°C
150 °C
(1)ISD ≤ 2.2A, di/dt ≤100A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, Tj ≤ TJMAX
(*).Limited only by maximum temperature allowed
1/9
STP2HNC60/STP2HNC60FP
Thermal Impedance for TO-220
Thermal Impedance for TO-220FP
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
4/9
4페이지 STP2HNC60/STP2HNC60FP
DIM.
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA.
MIN.
4.40
1.23
2.40
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
TO-220 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
1.27
16.4
MAX.
4.60
1.32
2.72
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
MIN.
0.173
0.048
0.094
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
inch
TYP.
0.050
0.645
MAX.
0.181
0.051
0.107
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
L2
Dia.
L5
L7
L6
L9
L4
P011C
7/9
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
다운로드 | [ P2HNC60F.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P2HNC60F | STP2HNC60FP | STMicroelectronics |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |