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ZXTP25060BFH 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 ZXTP25060BFH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 ZXTP25060BFH 자료 제공

부품번호 ZXTP25060BFH 기능
기능 PNP medium power transistor
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


ZXTP25060BFH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ZXTP25060BFH 데이터시트, 핀배열, 회로
ZXTP25060BFH
60V, SOT23, PNP medium power transistor
Summary
BV(BR)CEX > -100V, BV(BR)CEO > -60V
BV(BR)ECO > -7V ;
IC(cont) = -3A;
RCE(sat) = 58 mtypical;
VCE(sat) < -85mV @ -1A ;
PD = 1.25W
Complementary part number ZXTN25060BFH
Description
Advanced process capability and package design have been used to
maximize the power handling and performance of this small outline
transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally
suited to applications where space is at a premium.
www.DataSheet4U.com
Features
• Higher power dissipation SOT23 package
• High peak current
• Low saturation voltage
• 100V forward blocking voltage
• 7V reverse blocking voltage
Applications
• MOSFET gate drivers
• Power switches
• Motor control
Ordering information
Device
Reel size
(inches)
ZXTP25060BFHTA
7
Tape width Quantity per reel
8mm
3,000
Device marking
028
C
B
E
E
C
B
Pinout - top view
Issue 1 - March 2006
© Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com




ZXTP25060BFH pdf, 반도체, 판매, 대치품
ZXTP25060BFH
Electrical characteristics (at TAMB = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Collector-base breakdown BVCBO
voltage
Collector-emitter
breakdown voltage
(forward blocking)
BVCEX,
Min.
-100
-100
Collector-emitter
breakdown voltage (base
open)
Emitter-collector
breakdown voltage
(reverse blocking)
Emitter-base breakdown
voltage
Collector cut-off current
BVCEO
BVECO
BVEBO
ICBO
-60
-7
-7
Collector emitter cut-off ICEX
current
Emitter cut-off current
Collector-emitter
saturation voltage
IEBO
VCE(sat)
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on
voltage
Static forward current
transfer ratio
Transition frequency
VBE(sat)
VBE(on)
hFE
fT
100
75
30
Output capacitance
Turn-on time
Turn-off time
COBO
t(on)
t(off)
Typ. Max. Unit Conditions
-120
V IC = -100mA
-120
-80
V IC = -100mA,
RBE < 1kor
-0.25V < VBE < 1V
V IC = -10mA (*)
-8.6 V IE = -100uA (*)
-8.1 V IE = -100mA
<-1
-
<-1
-45
-100
-70
-175
-940
-50
-20
-100
-50
-55
-135
-85
-235
-1040
nA VCB = -80V
A VCB = -80V, TAMB= 100°C
nA VCE = -80V;
RBE < 1kor
-0.25V < VBE < 1V
nA VEB = -5.6V
mV IC = -0.5A, IB = -50mA (*)
mV IC = -0.5A, IB = -10mA (*)
mV IC = -1A, IB = -100mA (*)
mV IC = -3A, IB = -300mA (*)
mV IC = -3A, IB = -300mA (*)
-830 -930 mV IC = -3A, VCE = -2V (*)
200 300
IC = -10mA, VCE = -2V (*)
150 IC = -1A, VCE = -2V (*)
60 IC = -3A, VCE = -2V (*)
250 MHz IC = -100mA, VCE = -5V
f = 100MHz
17.6 30
26.5
291
pF VCB = -10V, f = 1MHz (*)
ns VCC = -10V. IC = -500mA,
ns IB1 = IB2= -50mA.
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300s; duty cycle Յ2%.
Issue 1 - March 2006
© Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com

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