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부품번호 | ZXTP25020CFH 기능 |
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기능 | PNP medium power transistor | ||
제조업체 | Zetex Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
ZXTP25020CFH
20V, SOT23, PNP medium power transistor
Summary
BVCEO > -20V
BVECO > -7V
IC(cont) = -4A
RCE(sat) = 34m⍀
VCE(sat) < -55mV @ 1A
PD = 1.25W
Complementary part number ZXTN25020CFH
Description
Advanced process capability and package design have been used to
maximize the power handling and performance of this small outline
transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally
suited to applications where space is at a premium.
www.DataSheet4U.com
Features
• High power dissipation SOT23 package
• High peak current
• Low saturation voltage
• 7V reverse blocking voltage
Applications
• MOSFET and IGBT gate driving
• DC - DC converters
• Motor drive
• High side driver
Ordering information
Device
ZXTP25020CFHTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8
Quantity per reel
3,000
Device marking
1B2
C
B
E
E
C
B
Pinout - top view
Issue 1 - May 2006
© Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
ZXTP25020CFH
Electrical characteristics (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Collector-base breakdown BVCBO
voltage
Collector-emitter breakdown BVCEO
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
BVEBO
Emitter-collector breakdown BVECX
voltage (reverse blocking)
Min.
-25
-20
-7
-7
Emitter-collector breakdown BVECO
voltage (base open)
Collector-base cut-off
current
ICBO
Emitter-base cut-off current IEBO
Collector-emitter saturation VCE(sat)
voltage
-7
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on voltage
Static forward current
transfer ratio
VBE(sat)
VBE(on)
hFE
200
150
85
Transition frequency
Output capacitance
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
fT
COBO
td
tr
ts
tf
Typ. Max. Unit Conditions
-50 V IC = -100A
-35 V IC = -10mA (*)
-8.2 V IE = -100A
-8.0 V IE = -100A(*) RBC < 10k⍀
or 0.25 < VBC < -0.25V
-8.8 V IE = -100A(*)
<-1
<-1
-43
-70
-120
-150
-930
-50
-20
-50
-55
-100
-170
-210
-1050
nA VCB = -20V
A VCB = -20V, Tamb= 100°C
nA VEB = -5.6V
mV IC = -1A, IB = -100mA(*)
mV IC = -1A, IB = -20mA(*)
mV IC = -2A, IB = -40mA(*)
mV IC = -4A, IB = -200mA(*)
mV IC = -4A, IB = -200mA(*)
-810
350
250
140
40
285
32.4
38.4
49.2
168
55
-900
500
40
mV IC = -4A, VCE = -2V(*)
IC = -10mA, VCE = -2V(*)
IC = -1A, VCE = -2V(*)
IC = -4A, VCE = -2V(*)
IC = -10A, VCE = -2V(*)
MHz IC = -50mA, VCE = -10V
f = 100MHz
pF VCB = -10V, f = 1MHz(*)
ns VCC = -15V.
ns IC = -750mA,
ns IB1 = IB2= -15mA
ns
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300s; duty cycle Յ2%.
Issue 1 - May 2006
© Zetex Semiconductors plc 2006
4
www.zetex.com
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ZXTP25020CFF | PNP medium power transistor | Zetex Semiconductors |
ZXTP25020CFH | PNP medium power transistor | Zetex Semiconductors |
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