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ZXTP25012EFH 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 ZXTP25012EFH은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 ZXTP25012EFH 자료 제공

부품번호 ZXTP25012EFH 기능
기능 PNP medium power transistor
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


ZXTP25012EFH 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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ZXTP25012EFH 데이터시트, 핀배열, 회로
ZXTP25012EFH
12V, SOT23, PNP medium power transistor
Summary
BVCEO > -12V
hFE > 500
IC(cont) = -4A
RCE(sat) = 40m
VCE(sat) < -65mV @ 1A
PD = 1.25W
Complementary part number ZXTN25012EFH
Description
Advanced process capability and package design have been used to
maximise the power handling and performance of this small outline
transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally
suited to applications where space is at a premium.
www.DataSheet4U.com
Features
• High power dissipation SOT23 package
• High peak current
• Very high gain, 500 minimum
• Low saturation voltage
Applications
• MOSFET and IGBT gate driving
• DC - DC converters
• Motor drive
• High side driver
• Line disconnect switch
Ordering information
Device
ZXTP25012EFHTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
8
Quantity
per reel
3000
Device marking
1E8
Issue 1 - January 2007
© Zetex Semiconductors plc 2007
1
C
B
E
E
C
B
Pinout - top view
www.zetex.com




ZXTP25012EFH pdf, 반도체, 판매, 대치품
ZXTP25012EFH
Electrical characteristics (at Tamb = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Symbol
Collector-base breakdown BVCBO
voltage
Collector-emitter breakdown BVCEO
voltage (base open)
Emitter-base breakdown
voltage
BVEBO
Collector-base cut-off
current
ICBO
Emitter-base cut-off current
Collector-emitter saturation
voltage
IEBO
VCE(sat)
Base-emitter saturation
voltage
VBE(sat)
Base-emitter turn-on voltage VBE(on)
Static forward current
transfer ratio
hFE
Transition frequency
Output capacitance
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
fT
Cobo
td
tr
ts
tf
Min.
-12
-12
-7
500
300
50
Typ. Max. Unit Conditions
-35 V IC = -100A
-25 V IC = -10mA (*)
-8.5 V IE = -100A
<-1 -50
-20
<-1 -50
-50 -65
-150 -260
-175 -350
-160 -210
-970 -1050
nA VCB = -9.6V
A VCB = -9.6V, Tamb= 100°C
nA VEB = -5.6V
mV IC = -1A, IB = -100mA(*)
mV IC = -1A, IB = -10mA(*)
mV IC = -2A, IB = -40mA(*)
mV IC = -4A, IB = -400mA(*)
mV IC = -4A, IB = -400mA(*)
-825
800
450
100
310
-950
1500
mV IC = -4A, VCE = -2V(*)
IC = -10mA, VCE = -2V(*)
IC = -1A, VCE = -2V(*)
IC = -4A, VCE = -2V(*)
MHz IC = -50mA, VCE = -10V
f = 100MHz
16.9
41
62
179
pF VCB = -10V, f = 1MHz(*)
ns VCC = -10V
ns IC = -1A,
IB1 = IB2= -10mA
ns
65 ns
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300s; duty cycle Յ2%.
Issue 1 - January 2007
© Zetex Semiconductors plc 2007
4
www.zetex.com

4페이지










ZXTP25012EFH 전자부품, 판매, 대치품
ZXTP25012EFH
Intentionally left blank
Issue 1 - January 2007
© Zetex Semiconductors plc 2007
7
www.zetex.com

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