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부품번호 | ZXTP25140BFH 기능 |
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기능 | PNP medium power transistor | ||
제조업체 | Zetex Semiconductors | ||
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전체 6 페이지수
ZXTP25140BFH
140V, SOT23, PNP medium power transistor
Summary
BV(BR)CEX > -180V; BV(BR)CEO > -140V
BV(BR)ECO > -7V ;
IC(cont) = -1A
Rce(sat) = 180 m⍀ typical
Vce(sat) < -260mV @ 1A ;
PD = 1.25W
Description
Advanced process capability and package design have been used to
maximize the power handling and performance of this small outline
transistor. The compact size and ratings of this device make it ideally
suited to applications where space is at a premium.
www.DataSheet4U.com
Features
• High power dissipation SOT23 package
• 180V forward blocking voltage
• Low saturation voltage
Applications
• DC-DC converters
• High side switching
Ordering information
Device
ZXTP25140BFHTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
8mm
Quantity per
reel
3,000
Device marking
026
C
B
E
Pinout - top view
Issue 1 - March 2006
© Zetex Semiconductors plc 2006
1
www.zetex.com
ZXTP25140BFH
Electrical characteristics (at TAMB = 25°C unless otherwise stated)
Parameter
Collector-base
breakdown voltage
Collector-emitter
breakdown voltage
(forward blocking)
Symbol Min.
BVCBO -180
BVCEX, -180
Collector-emitter
BVCEO
breakdown voltage (base
open)
-140
Typ.
-205
-205
-160
Max.
Unit Conditions
V IC = -100A
V IC = -100A,
RBE Յ 1k⍀ or
-0.25V < VBE < 1V
V IC = -10mA (*)
Emitter-collector
breakdown voltage
(reverse blocking)
Emitter-base breakdown
voltage
Collector cut-off current
BVECO
BVEBO
ICBO
Collector emitter cut-off ICEX
current
-7
-7
Emitter cut-off current
Collector-emitter
saturation voltage
IEBO
Vce(sat)
Base-emitter saturation
voltage
Base-emitter turn-on
voltage
Static forward current
transfer ratio
Transition frequency
Vbe(sat)
VBE(ON)
hFE
fT
100
100
20
-8.5 V IE = -100uA (*)
-8.2 V IE = -100A
<-1
-
<-1
-40
-110
-90
-170
-180
-850
-800
200
190
30
75
-50
-20
-100
-50
-50
-135
-110
-230
-260
-950
-900
300
nA VCB = -144V
A VCB = -144V, TAMB= 100°C
nA VCE = -144V;
RBE Յ 1k⍀ or
-0.25V < VBE < 1V
nA VEB = -5.6V
mV IC = -0.1A, IB = -10mA (*)
mV IC = -0.1A, IB = -2mA (*)
mV IC = -0.5A, IB = -50mA (*)
mV IC = -0.5A, IB = -25mA (*)
mV IC = -1A, IB = -100mA (*)
mV IC = -1A, IB = -100mA (*)
mV IC = -1A, VCE = -2V (*)
MHz
IC = -10mA, VCE = -2V (*)
IC = -0.1A, VCE = -2V (*)
IC = -1A, VCE = -2V (*)
IC = -10mA, VCE = -20V
f = 20MHz
Output capacitance
Turn-on time
Turn-off time
COBO
t(on)
t(off)
10 pF VCB = -20V, f = 1MHz (*)
102 ns VCC = -20V. IC = -100mA,
IB1 = IB2= -10mA
854 ns
NOTES:
(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width Յ300s; duty cycle Յ2%.
Issue 1 - March 2006
© Zetex Semiconductors plc 2006
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www.zetex.com
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ZXTP25140BFH | PNP medium power transistor | Zetex Semiconductors |
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