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FXT38C 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FXT38C은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FXT38C 자료 제공

부품번호 FXT38C 기능
기능 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FXT38C 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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FXT38C 데이터시트, 핀배열, 회로
NPN SILICON PLANAR MEDIUM
POWER DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 – SEPT 93
FEATURES
* 60 Volt VCEO
* Gain of 10K at IC=0.5 Amp
FXT38C
REFER TO BCX38 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
ICM
IC
Ptot
Tj:Tstg
B
C
E
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
80
60
10
2
800
1
-55 to +200
UNIT
V
V
V
A
mA
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).
PARAMETER
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO 80
V IC=10µA, IE=0
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
VCEO(sus) 60
V IC=10mA, IB=0
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO 10
V IE=10µA, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
100 nA
VCB=60V, IE=0
Emitter Cut-Off Current IEBO
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
100
1.25
nA
V
VEB=8V, IC=0
IC=800mA, IB=8mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
1.8 V
IC=800mA, VCE=5V*
Static Forward Current hFE
Transfer Ratio
5000
10000
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle 2%
3-29
IC=100mA, VCE=5V*
IC=500mA, VCE=5V*





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