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FXT705 데이터시트 PDF




Zetex Semiconductors에서 제조한 전자 부품 FXT705은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FXT705 자료 제공

부품번호 FXT705 기능
기능 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR
제조업체 Zetex Semiconductors
로고 Zetex Semiconductors 로고


FXT705 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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FXT705 데이터시트, 핀배열, 회로
PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTOR
ISSUE 1 – FEB 94
FEATURES
* 120 Volt VCEO
* Gain of 3K at IC=1 Amp
* Ptot= 1 Watt
APPLICATIONS
* Lamp, solenoid and relay drivers
* Replacement of TO126 and TO220 darlingtons
REFER TO ZTX705 FOR GRAPHS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at Tamb=25°C
Operating and Storage Temperature Range
VCBO
VCEO
VEBO
ICM
IC
Ptot
Tj:Tstg
FXT705
B
C
E
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
-140
-120
-10
-4
-1
1
-55 to +200
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
-140
V IC=-100µA, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
-120
V IC=-10mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
-10
V IE=-100µA, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
-0.1 µA
-10 µA
VCB=-120V, IE=0
VCB=-120V, Tamb=100°C
Collector Cut-Off
Current
ICES
-10 µA VCES=-80V
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
-0.1 µA VEB=-8V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
VBE(sat)
-1.3 V
-2.5 V
-1.8 V
IC=-1A, IB=-1mA*
IC=-2A, IB=-2mA*
IC=-1A, IB=-10mA*
Base-Emitter Turn-On VBE(on)
Voltage
-1.7 V
IC=-1A, VCE=-5V*
Static Forward
hFE
Current Transfer Ratio
Transition
Frequency
fT
3k IC=-10mA, VCE=-5V*
3k IC=-100mA, VCE=-5V*
3k 30k IC=-1A, VCE=-5V*
2k IC=-2A, VCE=-5V*
160 MHz IC=-100mA, VCE=-10V
f=20MHz
3-55





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