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MGF1954A 데이터시트 PDF




Mitsubishi Electric에서 제조한 전자 부품 MGF1954A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MGF1954A 자료 제공

부품번호 MGF1954A 기능
기능 Microwave Power MES FET
제조업체 Mitsubishi Electric
로고 Mitsubishi Electric 로고


MGF1954A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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MGF1954A 데이터시트, 핀배열, 회로
Aug. /2004
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGF1954A
Microwave Power MES FET (Leadless Ceramic Package)
DESCRIPTION
The MGF1954A is designed for use in S to Ku band power
amplifiers.
The lead-less ceramic package assures minimum parasitic losses.
Outline Drawing
FEATURES
High gain and High P1dB
Glp=5.0dB , P1dB=23dBm (Typ.) @ f=12GHz
APPLICATION
S to Ku band power Amplifiers
QUALITY GRADE
GG
RECOMMENDED BIAS CONDITION
VDS=6V, ID=100mA
ORDERING INFORMATION
Tape & reel 3000pcs./reel
www.DataSheet4U.com
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
VGDO
VGSO
ID
PT
Tch
Tstg
Parameter
Gate to drain voltage
Gate to source voltage
Drain current
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
(Ta=25°C )
Ratings
-10
-10
400
1
125
-65 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Synbol
Parameter
(Ta=25°C )
Test conditions
V(BR)GDO
IDSS
VGS(off)
Po
Glp
Gate to drain breakdown voltage
Saturated drain current
Gate to source cut-off voltage
Output Power at 1dB gain
compression
Linear Power Gain
Ig=-100µA
VGS=0V,VDS=3V
VDS=3V,ID=1mA
VDS=6V,ID=100mA
f=12GHz
VDS=6V,ID=100mA
f=12GHz,Pin=5dBm
Fig.1
Keep Safety first in your circuit designs!
Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum
effort into making semiconductor products better
and more reliable , but there is always the
possibility that trouble may occur with them.
Trouble with semiconductors may lead to personal
injury , fire or property damage. Remember to give
due consideration to safety when making your
circuit designs , with appropriate measure such
as (I) placement of substitutive , auxiliary circuits ,
(ii) use of non-flammable material or (iii) prevention
against any malfunction or mishap.
MIN.
-10
105
-0.3
21
3
Limits
TYP.
-15
200
-1.4
23
5
MAX
--
400
-3.5
--
--
Unit
V
mA
V
dBm
dB
MITSUBISHI
(1/5)
Aug./2004




MGF1954A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Aug. /2004
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <GaAs FET>
MGF1954A
Microwave Power MES FET (Leadless Ceramic Package)
S PARAMETERS
½
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Reference Point
Gate
Source
Source
Reference Point
Drain
MITSUBISHI
(4/5)
Aug./2004

4페이지












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