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TQPHT 데이터시트 PDF




TriQuint Semiconductor에서 제조한 전자 부품 TQPHT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 TQPHT 자료 제공

부품번호 TQPHT 기능
기능 pHEMT Foundry Service
제조업체 TriQuint Semiconductor
로고 TriQuint Semiconductor 로고


TQPHT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 5 페이지수

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TQPHT 데이터시트, 핀배열, 회로
Production Process
TQPHT
0.5 um pHEMT Foundry Service
Nitride
Metal 2
Metal 2 - 4um
Dielectric
Dielectric
Metal 1
Metal 1
Dielectric
MIM Metal
Metal 0
Metal 1 - 2um
NiCr
N+ Pseudomorphic
Channel
pHEMT
IsoIlasotiloantiIomnpIlmanptlant
MIM Capacitor
NiCr Resistor
Semi-Insulating GaAs Substrate
www.DataSheet4U.com
0.5 um pHEMT Device Cross-Section
Features
D-Mode, -0.8 V Vp
InGaAs Active Layer pHEMT
Process
0.5 um Optical Lithography
Gates
17 V D-G Breakdown Voltage
High Density Interconnects:
2 Global
1 Local
High-Q Passives
Thin Film Resistors
High Value Capacitors
Backside Vias Optional
Based on Production 0.25 µm
pHEMT and Passives Processes
TOM3 FET Models Available
General Description
TriQuint’s 0.5 µm pHEMT process is based on our production
released 0.25 µm gate process. TQPHT substitutes lower cost
optical lithography in place of e-beam and adds TriQuint’s
unique thick metal scheme. This process is targeted for high
efficiency and linearity in power amplifiers, low noise amplifiers,
and linear, low loss and high isolation RF switch applications.
The TQPHT process offers a D-Mode pHEMT with a –0.8 V
pinch off. The three metal interconnecting layers are encapsu-
lated in a high performance dielectric that allows wiring flexibil-
ity, optimized die size and plastic packaging simplicity. Precision
NiCr resistors and high value MIM capacitors are included al-
lowing higher levels of integration, while maintaining smaller,
cost –effective die sizes.
Applications
Highly Efficient and Linear
Power Amplifiers
Low Loss, High Isolation
Switches for Wireless Trans-
ceivers and Basestations
Higher Supply Voltage Applica-
tions
Integrated RF Front Ends–
LNA, SW, PA
Fully Released
Production Process
Page 1 of 5; Rev 2.0 7/22/03




TQPHT pdf, 반도체, 판매, 대치품
Production Process
TQPHT
0.5 um pHEMT Foundry Service
Gmax versus Vgs and Frequency:
300 um Device
Gm ax versus Vgs
26
24
22
20
18
16
14
12
-0.6 -0.4 -0.2
0
0.2 0.4 0.6
Vgs (Volts)
F re q@ 2 .1G H z
F re q@ 4 .1G H z
F re q@ 6 .1G H z
F re q@ 8 .1G H z
F re q@ 10 .1G H z
F re q@ 12 .1G H z
I-V Characteristics:
300 um Device
Ids versus Vgs
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
012 3456 789
Vds (Volts)
TriQuint Semiconductor
2300 NE Brookwood Pkwy
Hillsboro, Oregon 97124
Semiconductors for Communications
www.triquint.com
Page 4 of 5; Rev 2.0 7/22/03
Vgs=-0.8V
Vgs=-0.6V
Vgs=-0.4V
Vgs=-0.2V
Vgs=0V
Vgs=0.2V
Vgs=0.4V
Vgs=0.6V
Phone: 503-615-9000
Fax: 503-615-8905

4페이지












구       성 총 5 페이지수
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