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부품번호 | WT-2307 기능 |
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기능 | Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | Weitron Technology | ||
로고 | |||
Surface Mount P-Channel
Enhancement Mode MOSFET
3 DRAIN
Features:
*Super high dense cell design for low RDS(ON)
RDS(ON) <80 mΩ @VGS =-4.5V
RDS(ON) <100 mΩ@VGS=-2.5V
*Rugged and Reliable
*SOT-23 Package
1
GATE
2
SOURCE
WT-2307
DRAIN CURRENT
- 3 AMPERES
DRAIN SOURCE VOLTAGE
- 20 VOLTAGE
3
1
2
SOT-23
Maximum Ratings (TA=25 C Unless Otherwise Specified)
www.DataSheet4U.com
Rating
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (TJ =125 C)(1)
Pulsed Drain Current (2)
Drain-Source Diode Forward Current (1)
VDS
VGS
ID
IDM
IS
Power Dissipation (1)
Maximax Junction-to-Ambient
PD
R θJA
Value
-20
-+12
-3
-11
-1.25
1.25
100
Operating Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
-55 to 150
Device Marking
WT2307=S07
Unite
V
V
A
A
A
W
C/W
C
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
WT-2307
1.3
VDS =VGS
1.2 ID =250uA
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125
Tj ,JUNCTION TEMPERATURE( C)
FIG.5 with Temperature
12
10
8
6
4
2
VDS =-5V
0
0 5 10 15 20 25
IDS ,DRAIN-SOURCE CURRENT(A)
FIG.7 Transconductance Variation
with Drain Current
5
VDS =10V
4 ID =3A
3
2
1
0
0 12 3 4 5 6 7 8
Qg ,TOTAL GATE CHARGE(nC)
FIG.9 Gate Charge
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
1.10
ID =250uA
1.07
1.04
1.00
0.97
0.94
0.91
-50 -25 0 25 50 75 100 125
Tj ,JUNCTION TEMPERATURE( C)
FIG.6 Breakdown Voltage Variation
with Temperature
20
10
2
TJ=25 C
0
0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
VSD ,BODY DIODE FORWARD VOLTAGE(V)
FIG.8 Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
50
10 RDS(ON)Limit
11
100m1s00ms
Is
DC
0.1 VDS=-4.5V
Single Pulse
0.03 TC=25 C
0.1 1
10 20 50
VDS ,DRAIN-SOURCE CURRENT(V)
FIG.10 Maximum Safe Operating Area
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
WT-2300 | Surface Mount N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Weitron Technology |
WT-2301 | Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET | Weitron Technology |
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