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DTB523YE 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 DTB523YE은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 DTB523YE 자료 제공

부품번호 DTB523YE 기능
기능 (DTB523YE / DTB523YM) Digital transistors
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


DTB523YE 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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DTB523YE 데이터시트, 핀배열, 회로
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Transistors
DTB523YE / DTB523YM
-500mA / -12V Low VCE (sat) Digital transistors
(with built-in resistors)
DTB523YE / DTB523YM
zApplications
Inverter, Interface, Driver
zFeature
1) VCE (sat) is lower than conventional products.
2) Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
3) The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the
input. They also have the advantage of almost
completely eliminating parasitic effects.
4) Only the on / off conditions need to be set for
operation, making the device design easy.
zStructure
PNP epitaxial plannar silicon transistor
(Resistor built-in type)
zExternal dimensions (Unit : mm)
DTB523YE
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
(2) (1)
0.2 0.2
0.5 0.5
EMT3
1.0
JEITA No. (SC-75A)
JEDEC No. <SOT-416>
0.15 (1) GND
(2) IN
(3) OUT
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : X53
DTB523YM
VMT3
1.2
0.32
(3)
0.22
(1)(2)
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
(1) IN
(2) GND
(3) OUT
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : X53
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Supply voltage
VCC
Input voltage
VIN
Collector current
1
IC (max)
Power dissipation 2
PD
Junction temperature
Tj
Storage temperature
Tstg
1 Characteristics of built-in transistor.
2 Each terminal mounted on a recommended land.
Limits
DTB523YE DTB523YM
12
12 to +5
500
150
150
55 to +150
Unit
V
V
mA
mW
C
C
zPackaging specifications
Package
Packaging type
Code
EMT3
Taping
TL
Part No.
Basic ordering
unit (pieces)
3000
DTB523YE
DTB523YM
VMT3
Taping
T2L
8000
zElectrical characteristics (Ta=25°C)
Parameter
Symbol Min. Typ.
Input voltage
VI(off)
VI(on)
2.5
Output voltage
VO(on) − −60
Input current
II − −
Output current
IO(off)
DC current gain
Transition frequency
GI 140
fT 260
Input resistance
R1 1.54 2.2
Resistance ratio
R2/R1 3.6 4.5
Characteristics of built-in transistor.
Max.
0.3
300
3.0
0.5
2.86
5.5
Unit
V
mV
mA
µA
MHz
k
Conditions
VCC= 5V, IO= 100µA
VO= 0.3V, IO= 20mA
IO/II= 100mA / 5mA
VI= 5V
VCC= 12V, VI=0V
VO= 2V, IO= 100mA
VCE= 10V, IE=5mA, f=100MHz
zEquivalent circuit
R1
IN
R2
OUT
GND(+)
IN OUT
GND(+)
R1=2.2k/ R2=10k
1/1





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