Datasheet.kr   

EF10C02C-G 데이터시트 PDF




Comchip Technology에서 제조한 전자 부품 EF10C02C-G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 EF10C02C-G 자료 제공

부품번호 EF10C02C-G 기능
기능 (EF10C01C-G - EF10C06C-G) Glass Passivated Efficient Fast Recovery Rectifier
제조업체 Comchip Technology
로고 Comchip Technology 로고


EF10C02C-G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



전체 2 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

EF10C02C-G 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Glass Passivated Efficient Fast Recovery Rectifier
EF10C01C-G thru EF10C06C-G (RoHS Device)
Voltage Range 50 to 600 V
Current 10.0 Ampere
Features
Fast switching for high efficiency
Low forward voltage drop
High current capability
Low reverse leakage current
High surge current capability
Mechanical Data
Case: Molded plastic TO-220AB
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant
Terminals: Solderable per MIL-STD-202
method 208 guranteed
Mounting position: Any
Weight: 2.07 gram
TO-220AB
MAX.412(10.5) DIA
.154(3.91)
.148(3.74)
.185(4.70)
.175(4.44)
.055(1.40)
.045(1.14)
.594(15.1)
.587(14.9)
.16(4.06)
.14(3.56)
PIN
123
.037(0.94)
.027(0.68)
.56(14.22)
.53(13.46)
.11(2.79)
.10(2.54)
1
case
.105(2.67)
.095(2.41)
32
.025(0.64)
.014(0.35)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
CHARACTERISTIC
SYMBOL EF10C01C EF10C02C EF10C03C EF10C05C EF10C06C UNIT
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current TL=100oC
VRRM
VRMS
VDC
IF(AV)
50
35
50
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single
Half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
IFSM
Maximum Instantaneous Forward Voltage
@ 5.0 A
VF
Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC
IR
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1) Trr
Typical junction Capacitance (Note 2)
CJ
Typical Thermal Resistance (Note 3)
R JC
Operating Junction and Storage
Temperature Range
TJ, TSTG
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A.
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.
(3) Thermal Resistance junction to lead.
100 200 400 600 V
70 140 280 420 V
100 200 400 600 V
10.0 A
100 A
0.95 1.25
10
250
25
65
2.2
-55 to + 150
1.85
V
uA
uA
nS
pF
oCW
oC
COMCHIP TECHNOLOGY 4115 CLIPPER CT. FREMONT CA 94538 TEL: (510) 657-8671 FAX: (510) 657-8921





구       성 총 2 페이지수
다운로드[ EF10C02C-G.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
EF10C02C-G

(EF10C01C-G - EF10C06C-G) Glass Passivated Efficient Fast Recovery Rectifier

Comchip Technology
Comchip Technology

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵