Datasheet.kr   

MMST2222A-G 데이터시트 PDF




Comchip Technology에서 제조한 전자 부품 MMST2222A-G은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MMST2222A-G 자료 제공

부품번호 MMST2222A-G 기능
기능 GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
제조업체 Comchip Technology
로고 Comchip Technology 로고


MMST2222A-G 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 4 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

MMST2222A-G 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
General Purpose Transistor
MMST2222A-G (NPN)
RoHS Device
SMD Diodes Specialist
Features
-Power dissipation
PCM : 0.2W (TA=25OC)
-Collector current
ICM : 0.6A
-Collector-base voltage
V(BR)CBO : 75V
-Operating and storage junction temperature range
TJ, TSTG : -55OC to +150OC
Marking: K3P
SOT-323
0.054 (1.35)
0.045 (1.15)
0.044 (1.10)
0.035 (0.90)
0.087 (2.20)
0.070 (1.8)
3
12
0.056 (1.40)
0.047 (1.20)
0.006 (0.15)
0.002 (0.05)
0.087 (2.20)
0.078 (2.00)
Collector
3
1
Base
0.016 (0.40)
0.008 (0.20)
0.004 (0.10) max
0.004 (0.10) min
Dimensions in inches and (millimeter)
2
Emitter
Electrical Characteristics (at TA=25 OC unless otherwise noted)
Parameter
Conditions
Symbol
Min
Collector-Base breakdown voltage
IC =10μA , IE=0
V(BR)CBO
75
Collector-Emitter breakdown voltage
IC =10mA , IB=0
V(BR)CEO
40
Emitter-Base breakdown voltage
IE =10μA , IC=0
V(BR)EBO
6
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-Emitter saturation voltage
VCB=70V , IE=0
VCE=35V , IB=0
VEB=3V , IC=0
VCE=10V , IC=150mA
VCE=10V , IC=1mA
IC=500mA , IB=50mA
ICBO
ICEO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
100
50
Base-Emitter saturation voltage
IC=500mA , IB=50mA
VBE(sat)
Transition frequency
VCE=20V , IC=20mA
f=100MHZ
fT 300
Max
0.1
0.1
0.1
300
Unit
V
V
V
µA
µA
µA
0.6 V
1.2 V
MHZ
Output capacitance
Delay time
Rise time
Storage time
Fall time
QW-BTR06
VCB=10V , IE=0
f=1MHZ
VCC=30V , IC=150mA
VBE(off)=0.5V , IB1=15mA
VCC=30V , IC=150mA
IB1=IB2=15mA
Cob
td
tr
ts
tf
8 pF
10 nS
25 nS
225 nS
60 nS
REV:A
Page 1




MMST2222A-G pdf, 반도체, 판매, 대치품
General Purpose Transistor
SMD Diodes Specialist
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (MMST2222A-G)
Fig.13 Gain Bandwidth Product
100
200MHz 250MHz
100MHz
10
1.0
TA=25OC
300MHz
250MHz
Fig.14 Gain Bandwidth product
vs. Collector Current
1000
TA=25OC
VICE=10V
100
0.1
1.0
10 100
IC, Collector Current (mA)
1000
10
1.0
10 100
IC, Collector Current (mA)
1000
QW-BTR06
REV:A
Page 4

4페이지












구       성 총 4 페이지수
다운로드[ MMST2222A-G.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
MMST2222A-7

NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
MMST2222A-7

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵