|
|
|
부품번호 | BAP50-02 기능 |
|
|
기능 | General purpose PIN diode | ||
제조업체 | NXP Semiconductors | ||
로고 | |||
전체 8 페이지수
www.DataSheet4U.com
DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D319
BAP50-02
General purpose PIN diode
Product specification
2001 Apr 17
Philips Semiconductors
General purpose PIN diode
GRAPHICAL DATA
103
handbook, halfpage
rD
(Ω)
102
MLD601
600
handbook, halfpage
Cd
(fF)
400
Product specification
BAP50-02
MLD602
10 200
1
10−1
1
10 102
IF (mA)
f = 100 MHz; Tj = 25 °C.
Fig.2 Forward resistance as a function of
forward current; typical values.
0
0 4 8 12 16 20
VR (V)
f = 1 MHz; Tj = 25 °C.
Fig.3 Diode capacitance as a function of
reverse voltage; typical values.
handbook, h0alfpage
s21 2
(dB)
−1
−2
−3
(1)
(2)
(3)
MLD603
−4
−5
0.5
1
1.5 2
2.5 3
f (GHz)
(1) IF = 10 mA.
(2) IF = 1 mA.
(3) IF = 0.5 mA.
Diode inserted in series with a 50 Ω stripline circuit and
biased via the analyzer Tee network.
Tamb = 25 °C.
Fig.4 Insertion loss |s21|2 of the diode in on-state
as a function of frequency; typical values.
handbook, h0alfpage
s21 2
(dB)
−5
MLD604
−10
−15
−20
−25
0.5
1
1.5 2
2.5 3
f (GHz)
Diode zero biased and inserted in series with a 50 Ω stripline circuit.
Tamb = 25 °C.
Fig.5 Isolation (|s21|2) of the diode in off-state as a
function of frequency; typical values.
2001 Apr 17
4
4페이지 Philips Semiconductors
General purpose PIN diode
NOTES
Product specification
BAP50-02
2001 Apr 17
7
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ BAP50-02.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BAP50-02 | General purpose PIN diode | Leshan Radio Company |
BAP50-02 | General purpose PIN diode | ETL |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |