Datasheet.kr   

I882 데이터시트 PDF




Dc Components에서 제조한 전자 부품 I882은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 I882 자료 제공

부품번호 I882 기능
기능 TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
제조업체 Dc Components
로고 Dc Components 로고


I882 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 1 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

I882 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
DC COMPONENTS CO., LTD.
R DISCRETE SEMICONDUCTORS
I882
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in output stage of 10W audio
amplifier, voltage regulator, DC-DC converter,
and relay driver.
Pinning
1 = Base
2 = Collector
3 = Emitter
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
Characteristic
Symbol Rating
Collector-Base Voltage
VCBO
40
Collector-Emitter Voltage
VCEO
30
Emitter-Base Voltage
VEBO
5
Collector Current (DC)
IC 3
Collector Current (pulse)
IC 7
Base Current (DC)
Total Power Dissipation(TC=25oC)
IB
PD
600
10
Junction Temperature
TJ +150
Storage Temperature
TSTG -55 to +150
Unit
V
V
V
A
A
mA
W
oC
oC
TO-251
.268(6.80)
.252(6.40)
.217(5.50)
.205(5.20)
.022(0.55)
.018(0.45)
.284(7.20)
.268(6.80)
2
.063(1.60)
.055(1.40)
123
.035 Max
(0.90)
.256
(6.50)
Min
.032
(0.80)
Max
.181 Typ
(4.60)
.059(1.50)
.035(0.90)
.024(0.60)
.018(0.45)
.095(2.40)
.087(2.20)
Dimensions in inches and (millimeters)
Electrical Characteristics
(Ratings at 25oC ambient temperature unless otherwise specified)
Characteristic
Symbol Min Typ Max
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO 40
-
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BVCEO 30
-
-
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
5
-
-
Collector Cutoff Current
ICBO
-
-
1
Emitter Cutoff Current
Collector-Emitter Saturation Voltage(1)
Base-Emitter Saturation Voltage(1)
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)
-
-
-
-1
0.3 0.5
12
DC Current Gain(1)
hFE1
30
-
-
hFE2 100 - 500
Transition Frequency
fT - 90 -
Output Capacitance
Cob - 45 -
(1)Pulse Test: Pulse Width 380µs, Duty Cycle 2%
Classification of hFE2
Rank
Range
Q
100~200
P
160~320
E
250~500
Unit
V
V
V
µA
µA
V
V
-
-
MHz
pF
Test Conditions
IC=100µA, IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10µA, IC=0
VCB=30V, IE=0
VEB=3V, IC=0
IC=2A, IB=0.2A
IC=2A, IB=0.2A
IC=20mA, VCE=2V
IC=1A, VCE=2V
IC=0.1A, VCE=5V, f=100MHz
VCB=10V, f=1MHz





구       성 총 1 페이지수
다운로드[ I882.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
I882

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Dc Components
Dc Components

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵