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BLF2022-90 데이터시트 PDF




NXP Semiconductors에서 제조한 전자 부품 BLF2022-90은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 BLF2022-90 자료 제공

부품번호 BLF2022-90 기능
기능 UHF power LDMOS transistor
제조업체 NXP Semiconductors
로고 NXP Semiconductors 로고


BLF2022-90 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BLF2022-90 데이터시트, 핀배열, 회로
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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D379
BLF2022-90
UHF power LDMOS transistor
Product specification
Supersedes data of 2002 Sep 09
2003 Feb 24




BLF2022-90 pdf, 반도체, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
Philips Semiconductors
UHF power LDMOS transistor
Product specification
BLF2022-90
15
handbook, halfpage
Gp
(dB)
14
MLD837
50
ηD
(%)
ηD 40
13 Gp 30
12 20
11 10
10 0
0 40 80 120
PL (PEP) (W)
VDS = 28 V; IDQ = 750 mA; Th = 25 °C;
f1 = 2170 MHz; f2 = 2170.1 MHz.
Fig.2 Power gain and drain efficiency as functions
of peak envelope load power; typical
values.
handbook, h0alfpage
dim
(dBc)
20
40
60
MLD838
d3
d5
d7
80
0 40 80 120
PL (PEP) (W)
VDS = 28 V; IDQ = 750 mA; Th = 25 °C;
f1 = 2170 MHz; f2 = 2170.1 MHz.
Fig.3 Intermodulation distortion as a function of
peak envelope load power; typical values.
15
handbook, halfpage
Gp
(dB)
14
Gp
(1)
(2)
13
(3)
12
(4)
(5) (6)
MLD839
50
ηD
(%)
ηD 40
30
20
11 10
10 0
0 40 80 120
PL (PEP) (W)
VDS = 28 V; Th = 25 °C;
f1 = 2170 MHz; f2 = 2170.1 MHz.
(1) IDQ = 900 mA.
(2) IDQ = 750 mA.
(3) IDQ = 600 mA.
(4) IDQ = 600 mA.
(5) IDQ = 750 mA.
(6) IDQ = 900 mA.
Fig.4 Power gain and drain efficiency as functions
of peak envelope load power; typical
values.
handbook, h0alfpage
dim
(dBc)
20
40 (1)
(2)
(3)
60
MLD840
80
0
40 80 120
PL (PEP) (W)
VDS = 28 V; Th = 25 °C;
f1 = 2170 MHz; f2 = 2170.1 MHz.
(1) IDQ = 600 mA. (2) IDQ = 900 mA.
(3) IDQ = 750 mA.
Fig.5 Third order intermodulation distortion as a
function of peak envelope load power;
typical values.
2003 Feb 24
4

4페이지










BLF2022-90 전자부품, 판매, 대치품
www.DataSheet4U.com
Philips Semiconductors
UHF power LDMOS transistor
Product specification
BLF2022-90
List of components (See Figs 10 and 11)
COMPONENT
DESCRIPTION
VALUE
C1, C2, C6, C7 Tekelec variable capacitor; type 37281 0.4 to 2.5 pF
C3, C8
multilayer ceramic chip capacitor; note 1 12 pF
C4, C9
C5, C12
C10
multilayer ceramic chip capacitor; note 2 12 pF
electrolytic capacitor
10 µF; 100 V
multilayer ceramic chip capacitor; note 1 1 nF
C11
multilayer ceramic chip capacitor
100 nF
C13 tantalum SMD capacitor
4.5 µF; 50 V
C14 electrolytic capacitor
100 µF; 63 V
F1 Ferroxcube chip-bead 8DS3/3/8/9-4S2
L1
L2
L3
L4
L5
L6
L7
L8
L9
L10, L11
L12
L13
L14
L15
L16
L17
L18
L19
L20
R1, R2
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
stripline; note 3
metal film resistor
50
14.5
50
6
50
9.5
50
9.8
24.4
5.1
25.4
5.7
25.4
11.3
50
16.1
50
50
50
10 , 0.6 W
DIMENSIONS
2.9 × 2.4 mm
4 × 11.7 mm
3.7 × 2.4 mm
2 × 30.8 mm
3.6 × 2.4 mm
3 × 18.8 mm
7.8 × 2.4 mm
4 × 18.3 mm
5 × 6.3 mm
7 × 37 mm
10.1 × 6 mm
2.4 × 32.8 mm
7.4 × 6 mm
2.5 × 15.6 mm
10.8 × 2.4 mm
3 × 10.4 mm
2.3 × 2.4 mm
3 × 2.4 mm
5.5 × 2.4 mm
CATALOGUE NO.
2222 037 59109
2222 581 16641
2222 037 58101
4330 030 36301
2322 156 11009
Notes
1. American Technical Ceramics type 100B or capacitor of same quality.
2. American Technical Ceramics type 100A or capacitor of same quality.
3. The striplines are on a double copper-clad printed-circuit board with Teflon dielectric (εr = 2.2); thickness 0.79 mm.
2003 Feb 24
7

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