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BULD116D 데이터시트 PDF




STMicroelectronics에서 제조한 전자 부품 BULD116D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 BULD116D 자료 제공

부품번호 BULD116D 기능
기능 MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
제조업체 STMicroelectronics
로고 STMicroelectronics 로고


BULD116D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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BULD116D 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
® BULD116D
MEDIUM VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
s INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR- EMITTER DIODE
s LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
s MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
s VERY HIGH SWITCHING SPEED
s THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX "-1")
APPLICATIONS:
s COMPACT FLUORESCENT LAMPS UP TO
23 W AT 110 V A.C. MAINS
s FLYBACK AND FORWARD SINGLE
TRANSISTOR LOW POWER CONVERTERS
AT 110 V A.C. MAINS
DESCRIPTION
The device is manufactured using Multi Epitaxial
Planar technology for high switching speeds and
medium voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar
edge termination to enhance switching speeds
while maintaining the wide RBSOA.
The device is designed for use in lighting
applications and low cost switch-mode power
supplies.
3
2
1
IPAK
TO-251
("Suffix "-1")
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tstg
Tj
Parameter
Collector-Emitter Voltage (VBE = 0)
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
Collector Current
Collector Peak Current (tp < 5 ms)
Base Current
Base Peak Current (tp < 5 ms)
Total Dissipation at Tc = 25 oC
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
September 2003
Value
400
200
9
5
10
2
4
20
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
oC
oC
1/6




BULD116D pdf, 반도체, 판매, 대치품
BULD116D
Reverse Biased SOA
Figure 1: Inductive Load Switching Test Circuit.
1) Fast electronic switch
2) Non-inductive Resistor
3) Fast recovery rectifier
Figure 2: Resistive Load Switching Test Circuit.
1) Fast electronic switch
2) Non-inductive Resistor
4/6

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