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GI3403 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GI3403은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GI3403 자료 제공

부품번호 GI3403 기능
기능 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GI3403 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GI3403 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/02/25
REVISED DATE :
GI3403
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
-30V
200m
-10A
Description
The GI3403 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely
efficient and cost-effectiveness device.
The TO-251 package is universally used for commercial-industrial applications.
Features
*Simple Drive Requirement
*Lower Gate Charge
*Fast Switching
Package Dimensions
TO-251
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
7.20 7.80
2.30 REF.
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0.45 0.60
0.90 1.50
5.40 5.80
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS
VGS
Continuous Drain Current
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
ID @TC=25
ID @TC=70
IDM
PD @TC=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Ratings
-30
±20
-10
-8.6
-48
36.7
0.29
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Symbol
Rthj-case
Rthj-amb
Value
3.4
110
Unit
/W
/W
GI3403
Page: 1/4




GI3403 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ISSUED DATE :2005/02/25
REVISED DATE :
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Circuit
Fig 12. Gate Charge Circuit
Important Notice:
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China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China
TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
GI3403
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