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부품번호 | GI882 기능 |
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기능 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | ||
제조업체 | GTM | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2002/12/13
REVISED DATE :2005/08/10B
GI882
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GI882 is designed for using in output stage of 20W amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and
relay driver.
Package Dimensions
TO-251
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Collector Current (Pulse)
IC
Base Current
IB
Total Power Dissipation(TC=25 )
PD
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
7.20 7.80
2.30 REF.
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0.45 0.60
0.90 1.50
5.40 5.80
Ratings
+150
-55~+150
40
30
5
3
7
0.6
10
Unit
V
V
V
A
A
A
W
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
Min. Typ. Max.
BVCBO
40 -
-
BVCEO
BVEBO
30 -
5-
-
-
ICBO
IEBO
- -1
- -1
*VCE(sat)
- - 0.5
*VBE(sat)
- 12
*hFE1
*hFE2
30 -
-
100 - 500
fT - 90 -
Cob - 45 -
Unit
V
V
V
uA
uA
V
V
MHz
pF
Classification Of hFE2
Rank
Q
Range
100 - 200
P
160 - 320
Test Conditions
IC=100uA , IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA ,IC=0
VCB=30V, IE=0
VEB=3V, IC=0
IC=2A, IB=0.2A
IC=2A, IB=0.2A
VCE=2V, IC=20mA
VCE=2V, IC=1A
VCE=5V, IC=0.1A, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
E
250 - 500
GI882
Page: 1/3
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
GI882 | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR | GTM |
GI88L02 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |
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