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GI882 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GI882은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GI882 자료 제공

부품번호 GI882 기능
기능 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GI882 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GI882 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2002/12/13
REVISED DATE :2005/08/10B
GI882
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GI882 is designed for using in output stage of 20W amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and
relay driver.
Package Dimensions
TO-251
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Symbol
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Collector Current (Pulse)
IC
Base Current
IB
Total Power Dissipation(TC=25 )
PD
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
7.20 7.80
2.30 REF.
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0.45 0.60
0.90 1.50
5.40 5.80
Ratings
+150
-55~+150
40
30
5
3
7
0.6
10
Unit
V
V
V
A
A
A
W
Electrical Characteristics (Ta = 25 )
Symbol
Min. Typ. Max.
BVCBO
40 -
-
BVCEO
BVEBO
30 -
5-
-
-
ICBO
IEBO
- -1
- -1
*VCE(sat)
- - 0.5
*VBE(sat)
- 12
*hFE1
*hFE2
30 -
-
100 - 500
fT - 90 -
Cob - 45 -
Unit
V
V
V
uA
uA
V
V
MHz
pF
Classification Of hFE2
Rank
Q
Range
100 - 200
P
160 - 320
Test Conditions
IC=100uA , IE=0
IC=1mA, IB=0
IE=10uA ,IC=0
VCB=30V, IE=0
VEB=3V, IC=0
IC=2A, IB=0.2A
IC=2A, IB=0.2A
VCE=2V, IC=20mA
VCE=2V, IC=1A
VCE=5V, IC=0.1A, f=100MHz
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
* Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
E
250 - 500
GI882
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