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GJ3055 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GJ3055은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GJ3055 자료 제공

부품번호 GJ3055 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GJ3055 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GJ3055 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2003/07/31
REVISED DATE :2007/01/25D
GJ3055
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
30V
26m
15A
Description
The GJ3055 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and
suited for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
*Low Gate Charge
*Simple Drive Requirement
*Fast Switching
Package Dimensions
TO-252
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS@10V
VDS
VGS
ID @TC=25
Continuous Drain Current, VGS@10V
Pulsed Drain Current1
ID @TC=100
IDM
Total Power Dissipation
PD @TC=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Symbol
Rthj-c
Rthj-a
REF.
A
B
C
D
E
F
S
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
2.40 3.00
2.30 REF.
0.70 0.90
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
R
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0 0.15
0.90 1.50
5.40 5.80
0.80 1.20
Ratings
30
±20
15
9
50
28
0.22
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Value
4.8
110
Unit
/W
/W
GJ3055
Page: 1/5




GJ3055 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ISSUED DATE :2003/07/31
REVISED DATE :2007/01/25D
Fig 7. Maximum Safe Operating Area Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristics of
Reverse Diode
GJ3055
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Page: 4/5

4페이지












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