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GJ88LS02 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GJ88LS02은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GJ88LS02 자료 제공

부품번호 GJ88LS02 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GJ88LS02 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GJ88LS02 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2006/01/05
REVISED DATE :
GJ88LS02
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
25V
5m
75A
Description
The GJ88LS02 used advanced design and process to achieve low gate charge, low on-resistance and fast
switching performance.
The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and
suited for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
*Low Gate Charge
*Simple Drive Requirement
*Fast Switching
Package Dimensions
TO-252
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS@4.5V
VDS
VGS
ID @TC=25
Continuous Drain Current, VGS@4.5V
Pulsed Drain Current1
ID @TC=100
IDM
Total Power Dissipation
PD @TC=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Symbol
Rthj-case
Rthj-amb
REF.
A
B
C
D
E
F
S
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
2.40 3.00
2.30 REF.
0.70 0.90
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
R
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0 0.15
0.90 1.50
5.40 5.80
0.80 1.20
Ratings
25
±20
75
62.5
350
96
0.75
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Value
1.3
110
Unit
/W
/W
GJ88LS02
Page: 1/4




GJ88LS02 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ISSUED DATE :2006/01/05
REVISED DATE :
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
Important Notice:
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of GTM.
GTM reserves the right to make changes to its products without notice.
GTM semiconductor products are not warranted to be suitable for use in life-support Applications, or systems.
GTM assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.
Head Office And Factory:
Taiwan: No. 17-1 Tatung Rd. Fu Kou Hsin-Chu Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R. O. C.
TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785
China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China
TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
GJ88LS02
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