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GJ9916 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GJ9916은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GJ9916 자료 제공

부품번호 GJ9916 기능
기능 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GJ9916 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GJ9916 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2004/05/24
REVISED DATE :2005/03/04B
GJ9916
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
18V
25m
35A
Description
The GJ9916 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, ultra
low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Single Drive Requirement
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Low drive current
Package Dimensions
TO-252
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS@4.5V
Continuous Drain Current, VGS@4.5V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
VGS
ID @TC=25
ID @TC=125
IDM
PD @TC=25
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Symbol
Rthj-c
Rthj-a
REF.
A
B
C
D
E
F
S
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
2.40 3.00
2.30 REF.
0.70 0.90
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
R
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0 0.15
0.90 1.50
5.40 5.80
0.80 1.20
Ratings
18
±12
35
16
90
50
0.4
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Value
2.5
110
Unit
/W
/W
GJ9916
Page: 1/5




GJ9916 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ISSUED DATE :2004/05/24
REVISED DATE :2005/03/04B
Fig 7. Maximum Safe Operating Area Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristics of
Reverse Diode
GJ9916
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Page: 4/5

4페이지












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