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GJSBL650CT 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GJSBL650CT은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GJSBL650CT 자료 제공

부품번호 GJSBL650CT 기능
기능 (GJSBL630CT - GJSBL660CT) SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GJSBL650CT 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GJSBL650CT 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2006/05/11
REVISED DATE :
GJSBL630CT~660CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
R E VE R SE VO LTAG E 3 0 V T O 6 0 V, C UR R E NT 6 A
Description
The GJSBL630CT~660CT are designed for use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling and
polarity protection applications.
Features
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Package Dimensions
TO-252
REF.
A
B
C
D
E
F
S
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
2.40 3.00
2.30 REF.
0.70 0.90
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
R
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0 0.15
0.90 1.50
5.40 5.80
0.80 1.20
Maximum Ratings and Electrical Characteristics at Ta=25 unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%
Parameters
Symbol GJSBL
630CT
GJSBL
635CT
Ratings
GJSBL GJSBL
640CT 645CT
Max. Recurrent Peak Reverse Voltage
VRRM
30
35
40
45
Max. RMS Voltage
Max. DC Blocking Voltage
Max. Average Forward
@TC=95
Rectified Current (See Fig.1)
VRMS 21 24.5 28 31.5
VDC 30 35 40 45
I(AV)
6
GJSBL
650CT
50
35
50
GJSBL
660CT
60
42
60
Peak Surge Forward Current
8.3ms single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC METHOD)
IFSM
75
Max. Forward Voltage @ 3A (Note 1)
Max. DC Reverse Current @TJ=25
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=100
Typical Thermal Resistance @TC=25 (Note2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
VF
IR
R JC
Tj
Tstg
0.55
0.5
50
20
-55 ~ +125
-55 ~ +150
0.7
Notes: 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Thermal Resistance Junction to Case.
Unit
V
V
V
V
A
A
V
mA
/W
GJSBL630CT~660CT
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