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SPI10N10L 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 SPI10N10L은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SPI10N10L 자료 제공

부품번호 SPI10N10L 기능
기능 SIPMOS Power-Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


SPI10N10L 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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SPI10N10L 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
SIPMOSPower-Transistor
Feature
 N-Channel
 Enhancement mode
 Logic Level
175°C operating temperature
 Avalanche rated
 dv/dt rated
SPI10N10L
SPP10N10L
Product Summary
VDS
RDS(on)
ID
100
154
10.3
V
m
A
PG-TO262-3-1
PG-TO220-3-1
Type
SPP10N10L
SPI10N10L
Package
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
Ordering Code
Q67042-S4163
Q67042-S4162
Marking
10N10L
10N10L
Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
ID
TC=25°C
TC=100°C
Pulsed drain current
TC=25°C
Avalanche energy, single pulse
ID=10.3 A , VDD=25V, RGS=25
ID puls
EAS
Reverse diode dv/dt
dv/dt
IS=10.3A, VDS=80V, di/dt=200A/µs, Tjmax=175°C
Gate source voltage
VGS
Power dissipation
TC=25°C
Ptot
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Tj , Tstg
Value
10.3
8.1
42.2
60
6
±20
50
-55... +175
55/175/56
Unit
A
mJ
kV/µs
V
W
°C
Rev. 2.1
Page 1
2005-02-14




SPI10N10L pdf, 반도체, 판매, 대치품
1 Power dissipation
Ptot = f (TC)
SPP10N10L
55
W
45
40
35
30
25
20
15
10
5
00 20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190
TC
3 Safe operating area
ID = f ( VDS )
parameter : D = 0 , TC = 25 °C
10 2 SPP10N10L
tp = 4.8µs
A
10 µs
10 1
100 µs
10 0
1 ms
10 ms
DC
SPI10N10L
SPP10N10L
2 Drain current
ID = f (TC)
parameter: VGS 10 V
12 SPP10N10L
A
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
00 20 40 60 80 100 120 140 160 °C 190
TC
4 Transient thermal impedance
ZthJC = f (tp)
parameter : D = tp/T
10 1 SPP10N10L
K/W
10 0
10 -1
10 -2
10 -3
single pulse
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-1
10
0
10 1
10 2 V 10 3
10
-4
10
-7
10 -6
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
s 10 0
VDS
tp
Rev. 2.1
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2005-02-14

4페이지










SPI10N10L 전자부품, 판매, 대치품
13 Typ. avalanche energy
EAS = f (Tj)
par.: ID = 10.3 A , VDD = 25 V, RGS = 25
60
mJ
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
025 45 65 85 105 125 145 °C 185
Tj
15 Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS = f (Tj)
SPI10N10L
SPP10N10L
14 Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter: ID = 10.3 A pulsed
16 SPP10N10L
V
12
10
20V
8 50V
80V
6
4
2
00 4 8 12 16 20 nC 28
QGate
SPP10N10L
120
V
114
112
110
108
106
104
102
100
98
96
94
92
90-60 -20 20 60 100 140 °C 200
Tj
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7페이지


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