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SPI12N50C3 데이터시트 PDF




Infineon Technologies에서 제조한 전자 부품 SPI12N50C3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SPI12N50C3 자료 제공

부품번호 SPI12N50C3 기능
기능 Power Transistor
제조업체 Infineon Technologies
로고 Infineon Technologies 로고


SPI12N50C3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 13 페이지수

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SPI12N50C3 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
SPP12N50C3, SPB12N50C3
SPI12N50C3, SPA12N50C3
Cool MOS™ Power Transistor
Feature
New revolutionary high voltage technology
Ultra low gate charge
VDS @ Tjmax
RDS(on)
ID
560
0.38
11.6
V
A
Periodic avalanche rated
P-TO220-3-31 P-TO262
P-TO263-3-2 P-TO220-3-1
Extreme dv/dt rated
2
Ultra low effective capacitances
Improved transconductance
P-TO220-3-31
3
12
P-TO-220-3-31: Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)
P-TO220-3-1
123
Type
SPP12N50C3
SPB12N50C3
SPI12N50C3
SPA12N50C3
Package
Ordering Code
P-TO220-3-1 Q67040-S4579
P-TO263-3-2 Q67040-S4641
P-TO262
Q67040-S4578
P-TO220-3-31 Q67040-S4577
Marking
12N50C3
12N50C3
12N50C3
12N50C3
Maximum Ratings
Parameter
Continuous drain current
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Pulsed drain current, tp limited by Tjmax
Avalanche energy, single pulse
ID=5.5A, VDD=50V
Avalanche energy, repetitive tAR limited by Tjmax2)
ID=11.6A, VDD=50V
Avalanche current, repetitive tAR limited by Tjmax
Gate source voltage
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation, TC = 25°C
Operating and storage temperature
Symbol
ID
ID puls
EAS
EAR
IAR
VGS
VGS
Ptot
Tj , Tstg
Value
SPP_B_I SPA
11.6
7
34.8
340
11.61)
71)
34.8
340
0.6 0.6
11.6
11.6
±20 ±20
±30 ±30
125 33
-55...+150
Unit
A
A
mJ
A
V
W
°C
Rev. 2.1
Page 1
2004-03-29




SPI12N50C3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
SPP12N50C3, SPB12N50C3
SPI12N50C3, SPA12N50C3
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol Conditions
Inverse diode continuous
forward current
Inverse diode direct current,
pulsed
Inverse diode forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
Peak rate of fall of reverse
recovery current
IS TC=25°C
ISM
VSD
trr
Qrr
Irrm
dirr/dt
VGS=0V, IF=IS
VR=400V, IF=IS ,
diF/dt=100A/µs
Tj=25°C
min.
-
Values
typ. max.
- 11.6
Unit
A
- - 34.8
- 1 1.2 V
- 380 - ns
- 5.5 - µC
- 38 - A
- 1100 - A/µs
Typical Transient Thermal Characteristics
Symbol
Value
Unit Symbol
SPP_B_I
SPA
Rth1
Rth2
Rth3
Rth4
Rth5
Rth6
0.015
0.03
0.056
0.197
0.216
0.083
0.15
0.03
0.056
0.194
0.413
2.522
K/W
Cth1
Cth2
Cth3
Cth4
Cth5
Cth6
Value
SPP_B_I
SPA
0.0001878 0.0001878
0.0007106 0.0007106
0.000988 0.000988
0.002791 0.002791
0.007285 0.007401
0.063
0.412
Unit
Ws/K
Ptot (t)
Tj R th1
C th 1
C th 2
R th ,n
Tcase External Heatsink
C th ,n
Tamb
Rev. 2.1
Page 4
2004-03-29

4페이지










SPI12N50C3 전자부품, 판매, 대치품
SPP12N50C3, SPB12N50C3
SPI12N50C3, SPA12N50C3
9 Typ. drain-source on resistance
RDS(on)=f(ID)
parameter: Tj=150°C, VGS
2
10 Drain-source on-state resistance
RDS(on) = f (Tj)
parameter : ID = 7 A, VGS = 10 V
2.1 SPP12N50C3
1.8
1.6 4V 4.5V 5V
1.4
1.2
5.5V
6V
1.6
1.4
1.2
1
1
0.8
6.5V
0.6 8V
20V
0.40 2 4 6 8 10 12 14 16 A 20
ID
11 Typ. transfer characteristics
ID= f ( VGS ); VDS2 x ID x RDS(on)max
parameter: tp = 10 µs
40
A
25°C
32
28
24 150°C
0.8
0.6
98%
0.4 typ
0.2
0-60 -20 20
60 100
12 Typ. gate charge
VGS = f (QGate)
parameter: ID = 11.6 A pulsed
16 SPP12N50C3
V
°C 180
Tj
12
10
0,2 VDS max
0,8 VDS max
20 8
16 6
12
4
8
42
00 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
VGS
Rev. 2.1
Page 7
00 10 20 30 40 50 nC 70
QGate
2004-03-29

7페이지


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