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부품번호 | SPB18P06P 기능 |
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기능 | SIPMOS Power-Transistor | ||
제조업체 | Infineon Technologies | ||
로고 | |||
전체 9 페이지수
www.DataSheet4U.com
Preliminary data
SPP18P06P
SPB18P06P
SIPMOS® Power-Transistor
Features
· P-Channel
· Enhancement mode
· Avalanche rated
· dv/dt rated
· 175°C operating temperature
Product Summary
Drain source voltage
Drain-source on-state resistance
Continuous drain current
VDS
RDS(on)
ID
-60
0.13
-18.6
V
W
A
Type
SPP18P06P
SPB18P06P
Package Ordering Code
P-TO220-3-1 Q67040-S4182
P-TO263-3-2 Q67040-S4191
Maximum Ratings,at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Continuous drain current
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
Pulsed drain current
TC = 25 °C
ID puls
Avalanche energy, single pulse
ID = -18.6 A , VDD = -25 V, RGS = 25 W
EAS
Avalanche energy, periodic limited by Tjmax
Reverse diode dv/dt
EAR
dv/dt
IS = -18.6 A, VDS = -48 V, di/dt = 200 A/µs,
Tjmax = 175 °C
Gate source voltage
Power dissipation
TC = 25 °C
VGS
Ptot
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Tj , Tstg
Pin 1 PIN 2/4 PIN 3
GDS
Value
-18.6
-13.2
-74.4
150
8
6
Unit
A
mJ
kV/µs
±20
80
-55...+175
55/175/56
V
W
°C
Page 1
1999-11-22
Preliminary data
SPP18P06P
SPB18P06P
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min. typ. max.
Unit
Dynamic Characteristics
Gate to source charge
VDD = -48 , ID = -18.6 A
Gate to drain charge
VDD = -48 V, ID = -18.6 A
Gate charge total
VDD = -48 V, ID = -18.6 , VGS = 0 to -10 V
Gate plateau voltage
VDD = -48 , ID = -18.6 A
Qgs - 4.4 6.6 nC
Qgd - 9.3 14
Qg - 22 33
V(plateau) -
-5.56
-V
Parameter
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
TC = 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
TC = 25 °C
Inverse diode forward voltage
VGS = 0 V, IF = -18.6 A
Reverse recovery time
VR = -30 V, IF=IS , diF/dt = 100 A/µs
Reverse recovery charge
VR = -30 V, IF=lS , diF/dt = 100 A/µs
Symbol
Values
Unit
min. typ. max.
IS - - -18.6 A
ISM - - -74.4
VSD - -1 -1.33 V
trr - 70 105 ns
Qrr - 139 208 nC
Page 4
1999-11-22
4페이지 Preliminary data
SPP18P06P
SPB18P06P
Drain-source on-state resistance
RDS(on) = f (Tj)
parameter : ID = -13.2 A, VGS = -10 V
SPP18P06P
0.38
W
0.32
0.28
0.24
0.20
98%
0.16
typ
0.12
0.08
0.04
0.00
-60 -20
20
60 100 140 °C 200
Tj
Typ. capacitances
C = f (VDS)
parameter: VGS=0V, f=1 MHz
10 4
Gate threshold voltage
VGS(th) = f (Tj)
parameter: VGS = VDS, ID = -1 mA
-5.0
V
-4.4
-4.0
-3.6
-3.2
-2.8
-2.4 max
-2.0
-1.6
typ
-1.2
-0.8
min
-0.4
0.0
-60 -20
20
60 100 140 V 200
Tj
Forward characteristics of reverse diode
IF = f (VSD)
parameter: Tj , tp = 80 µs
-10 2 SPP18P06P
pF A
10 3 -10 1
Ciss
10 2
10 1
0
Coss
Crss
-10 0
Tj = 25 °C typ
Tj = 175 °C typ
Tj = 25 °C (98%)
Tj = 175 °C (98%)
-5 -10 -15 -20 -25 V -35
VDS
-10 -1
0.0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2.0 -2.4 V -3.0
VSD
Page 7
1999-11-22
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
SPB18P06P | SIPMOS Power-Transistor | Infineon Technologies |
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