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GSS4565 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GSS4565은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GSS4565 자료 제공

부품번호 GSS4565 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GSS4565 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GSS4565 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/07/27
REVISED DATE :2005/09/29B
GSS4565
N-CH BVDSS 40V
N-CH RDS(ON) 25m
N AND P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
N-CH ID
P-CH BVDSS
7.6A
-40V
N-CH RDS(ON) 33m
Description
N-CH ID
-6.5A
The GSS4565 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited
for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
*Simple Drive Requirement
*Lower On-resistance
*Fast Switching Performance
Package Dimensions
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
5.80
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
08
0.40
0.90
0.19
0.25
REF.
M
H
L
J
K
G
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
VDS
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
PD @TA=25
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Ratings
N-channel P-channel
40 -40
20 20
7.6 -6.5
6 -5.2
30 -30
2.0
0.016
-55 ~ +150
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Symbol
Rthj-a
Value
62.5
Millimeter
Min. Max.
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF.
45
1.27 TYP.
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Unit
/W
GSS4565
Page: 1/7




GSS4565 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Characteristics Curve N-Channel
ISSUED DATE :2005/07/27
REVISED DATE :2005/09/29B
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
GSS4565
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Page: 4/7

4페이지










GSS4565 전자부품, 판매, 대치품
P-Channel
ISSUED DATE :2005/07/27
REVISED DATE :2005/09/29B
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
Important Notice:
All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written approval of GTM.
GTM reserves the right to make changes to its products without notice.
GTM semiconductor products are not warranted to be suitable for use in life-support Applications, or systems.
GTM assumes no liability for any consequence of customer product design, infringement of patents, or application assistance.
Head Office And Factory:
Taiwan: No. 17-1 Tatung Rd. Fu Kou Hsin-Chu Industrial Park, Hsin-Chu, Taiwan, R. O. C.
TEL : 886-3-597-7061 FAX : 886-3-597-9220, 597-0785
China: (201203) No.255, Jang-Jiang Tsai-Lueng RD. , Pu-Dung-Hsin District, Shang-Hai City, China
TEL : 86-21-5895-7671 ~ 4 FAX : 86-21-38950165
GSS4565
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