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GSS4920 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GSS4920은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GSS4920 자료 제공

부품번호 GSS4920 기능
기능 Power MOSFET ( Transistor )
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GSS4920 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GSS4920 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/11/03
REVISED DATE :
GSS4920
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
25V
25m
7A
Description
The GSS4920 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications and suited
for low voltage applications such as DC/DC converters.
Features
*Simple Drive Requirement
*Low On-resistance
*Fast Switching
Package Dimensions
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
5.80
6.20
4.80
5.00
3.80
4.00
0° 8°
0.40
0.90
0.19
0.25
REF.
M
H
L
J
K
G
Millimeter
Min. Max.
0.10
0.25
0.35
0.49
1.35
1.75
0.375 REF.
45°
1.27 TYP.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
Total Power Dissipation
PD @TA=25
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Ratings
25
±20
7
5.7
20
2
0.016
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3
Max.
Symbol
Rthj-amb
Value
62.5
Unit
/W
GSS4920
Page: 1/5




GSS4920 pdf, 반도체, 판매, 대치품
ISSUED DATE :2005/11/03
REVISED DATE :
Fig 7. Maximum Safe Operating Area Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristics of
Reverse Diode
GSS4920
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Page: 4/5

4페이지












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