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RQK0606KGDQA 데이터시트 PDF




Renesas Technology에서 제조한 전자 부품 RQK0606KGDQA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 RQK0606KGDQA 자료 제공

부품번호 RQK0606KGDQA 기능
기능 Silicon N Channel MOS FET Power Switching
제조업체 Renesas Technology
로고 Renesas Technology 로고


RQK0606KGDQA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 8 페이지수

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RQK0606KGDQA 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
RQK0606KGDQA
Silicon N Channel MOS FET
Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 173 mtyp.(at VGS = 4.5 V, ID = 0.8 A)
Low drive current
High speed switching
VDSS 60 V and capable of 2.5 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A
(Package name: MPAK)
3
1
2
Notes: Marking is “KG“.
REJ03G1497-0100
Rev.1.00
Jan 15, 2007
3
D
2
G
S
1
1. Source
2. Gate
3. Drain
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Drain to source voltage
VDSS
Gate to source voltage
VGSS
Drain current
Drain peak current
ID
ID(pulse) Note1
Body - drain diode reverse drain current
Channel dissipation
IDR
Pch Note2
Channel temperature
Tch
Storage temperature
Tstg
Notes: 1. PW 10 µs, Duty cycle 1%
2. When using the glass epoxy board (FR-4 40 × 40 × 1 mm)
Ratings
60
±12
1.5
6
1.5
0.8
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
W
°C
°C
Rev.1.00 Jan 15, 2007 page 1 of 7




RQK0606KGDQA pdf, 반도체, 판매, 대치품
RQK0606KGDQA
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
800
Pulse Test
Tc = 25°C
600
400
2A
1.5 A
200 1 A
ID = 0.5 A
0
0 2 4 6 8 10
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (1)
500
Pulse Test
VGS = 4.5 V
400
300
ID = 2 A
1.5 A
200
100
–25 0
0.5 A
25 50
1A
75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
10
Pulse Test
VDS = 10 V
–25°C
25°C
1
Tc = 75°C
0.1
0.01
0.1 1
Drain Current ID (A)
10
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
1000
Pulse Test
Tc = 25°C
VGS = 2.5 V
100
0.1
4.5 A
10 A
1
Drain Current ID (A)
10
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Case Temperature (2)
500
Pulse Test
VGS = 2.5 V
400
ID = 2 A
1.5 A
300
1A
200 0.5 A
100
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Zero Gate Voltage Drain current vs.
Case Temperature
10000
1000
Pulse Test
VGS = 0 V
VDS = 60 V
100
10
1
–25 0 25 50 75 100 125 150
Case Temperature Tc (°C)
Rev.1.00 Jan 15, 2007 page 4 of 7

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RQK0606KGDQA 전자부품, 판매, 대치품
RQK0606KGDQA
Package Dimensions
Package Name
MPAK
JEITA Package Code
SC-59A
D
e
RENESAS Code
Previous Code MASS[Typ.]
PLSP0003ZB-A MPAK(T) / MPAK(T)V 0.011g
AQ
c
E HE
AA
xM S A
b
c
A-A Section
b
A2 A
A1
S
L
L1
A3
e
LP
e1
I1
b2
Pattern of terminal position areas
Reference Dimension in Millimeters
Symbol Min Nom Max
A 1.0
1.3
A1 0
0.1
A2 1.0 1.1 1.2
A3 0.25
b 0.35 0.4 0.5
c 0.1 0.16 0.26
D 2.7
3.1
E 1.35 1.5 1.65
e 0.95
HE 2.2 2.8 3.0
L 0.35
0.75
L1 0.15
0.55
LP 0.25
0.65
x 0.05
b2 0.55
e1 1.95
I1 1.05
Q 0.3
Ordering Information
Part No.
RQK0606KGDQATL-E
Quantity
3000 pcs.
Shipping Container
φ178 mm reel, 8 mm Emboss taping
Rev.1.00 Jan 15, 2007 page 7 of 7

7페이지


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