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WFP50N06 데이터시트 PDF




Wisdom technologies에서 제조한 전자 부품 WFP50N06은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 WFP50N06 자료 제공

부품번호 WFP50N06 기능
기능 N-Channel MOSFET
제조업체 Wisdom technologies
로고 Wisdom technologies 로고


WFP50N06 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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WFP50N06 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
Wisdom Semiconductor
WFP50N06
N-Channel MOSFET
Features
RDS(on) (Max 0.022 )@VGS=10V
Gate Charge (Typical 32nC)
Improved dv/dt Capability, High Ruggedness
100% Avalanche Tested
Maximum Junction Temperature Range (175°C)
General Description
This Power MOSFET is produced using Wisdom’s advanced
planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been
especially designed to minimize on-state resistance, have a high
rugged avalanche characteristics. These devices are well suited
for high efficiency switch mode power supplies, active power factor
correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.
Symbol
1. Gate{
{ 2. Drain
◀▲
{ 3. Source
TO-220
123
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VDSS
ID
IDM
VGS
EAS
EAR
dv/dt
PD
TSTG, TJ
TL
Parameter
Drain to Source Voltage
Continuous Drain Current(@TC = 25°C)
Continuous Drain Current(@TC = 100°C)
Drain Current Pulsed
Gate to Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Total Power Dissipation(@TC = 25 °C)
Derating Factor above 25 °C
Operating Junction Temperature & Storage Temperature
Maximum Lead Temperature for soldering purpose,
1/8 from Case for 5 seconds.
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθCS
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Case to Sink
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Min.
-
-
-
(Note 1)
(Note 2)
(Note 1)
(Note 3)
Value
60
50
35
200
±20
493
12.0
7.0
120
0.8
- 55 ~ 175
300
Value
Typ.
-
0.5
-
Max.
1.24
-
62.5
Units
V
A
A
A
V
mJ
mJ
V/ns
W
W/°C
°C
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
Copyright@Wisdom Semiconductor Inc., All rights reserved.




WFP50N06 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics (Continued)
1.2
1.1
1.0
0.9 Notes:
1.
2.
IVDG=S =2500VµA
0.8
-100
-50 0 50 100 150
TJ, JunctionTemperature[oC]
200
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
103
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
102
101
100
10-1
100µ s
1 ms
10 ms
DC
Notes :
1. TC = 25 oC
2. TJ = 175 oC
3. Single Pulse
100 101
VDS, Drain-Source Voltage [V]
102
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 25.0 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
60
50
40
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150 175
TC, Case Temperature []
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
100
D =0.5
0.2
1 0 -1
0 .1
0.05
0 .0 2
0 .0 1
single pulse
N otes :
1 . Z θ JC( t) = 1 .2 4 /W M a x .
2. D uty F actor, D = t1/t2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C( t )
PDM
t1
t2
1 0 -2
1 0 -5
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t1, S q u a re W a ve P u lse D u ra tio n [s e c ]
101
Figure 11. Transient Thermal Response Curve

4페이지










WFP50N06 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimensions
9.90 ±0.20
(8.70)
ø3.60 ±0.10
TO-220
4.50 ±0.20
1.30
+0.10
–0.05
1.27 ±0.10
2.54TYP
[2.54 ±0.20]
1.52 ±0.10
0.80 ±0.10
2.54TYP
[2.54 ±0.20]
0.50
+0.10
–0.05
2.40 ±0.20
10.00 ±0.20

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