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G2SB60 데이터시트 PDF




Vishay Siliconix에서 제조한 전자 부품 G2SB60은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 G2SB60 자료 제공

부품번호 G2SB60 기능
기능 Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
제조업체 Vishay Siliconix
로고 Vishay Siliconix 로고


G2SB60 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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G2SB60 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
New Product
G2SB20 thru G2SB80
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Glass Passivated Single-Phase
Bridge Rectifier
Case Type GBL
Reverse Voltage 200 to 800V
Forward Current 1.5A
0.125 (3.17)
x 45 degrees
Chamfer
0.080 (2.03)
0.060 (1.50)
0.825 (20.9)
0.815 (20.7)
0.421 (10.7)
0.411 (10.4)
0.095 (2.41)
0.080 (2.03)
0.098 (2.5)
0.075 (1.9)
0.043 (1.1)
0.035 (0.9)
0.098 (2.5)
0.075 (1.9)
0.718 (18.2)
0.682 (17.3)
Lead Depth
0.022 (0.56)
0.018 (0.46)
0.040 (1.02)
0.030 (0.76)
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
0.022 (0.56)
0.018 (0.46)
0.140 (3.56)
0.128 (3.25)
Polarity shown on front side of case, positive lead beveled corner.
Dimensions in inches and (millimeters)
Features
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
• This series is UL listed under the Recognized
Component Index, file number E54214
• High case dielectric strength
• Ideal for printed circuit boards
• Glass passivated chip junction
• High surge current capability
• High temperature soldering guaranteed:
260°C/10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,
5lbs. (2.3kg) tension
Mechanical Data
Case: Molded plastic body over passivated junctions
Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Mounting Position: Any
Weight: 0.071 oz., 2.0 g
Packaging codes/options:
1/400 EA. per Bulk Tray Stack, 4K/box
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Symbol G2SB20 G2SB60 G2SB80
Unit
Maximum repetitive peak reverse voltage
VRRM
200
600
800
V
Maximum RMS voltage
VRMS
140
420
560
V
Maximum DC blocking voltage
VDC 200 600 800
V
Maximum average forward
rectified output current at TA = 25°C
IF(AV)
1.5
A
Peak forward surge current single
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method)
IFSM
80
A
Rating for fusing (t<8.3ms)
I2t 27 A2sec
Typical thermal resistance per leg
RθJA
RθJL
40
12 °C/W
Operating junction storage and temperature range
TJ, TSTG
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Symbol G2SB20 G2SB60
Maximum instantaneous forward voltage
drop per leg at 0.75 A
VF
1.00
Maximum DC reverse current at rated TA = 25°C
DC blocking voltage per leg
TA =125°C
IR
5.0
300
Note: (1) Unit mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (12 x 12mm) copper pads and 0.375” (9.5mm) lead length
Document Number 88603
21-Mar-02
G2SB80
Unit
V
µA
www.vishay.com
1





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