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G425SD 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 G425SD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 G425SD 자료 제공

부품번호 G425SD 기능
기능 SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


G425SD 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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G425SD 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
G425SD
S U R FAC E MO UNT, S C HOTT K Y B AR R I ER DIO DE
VOLTAGE 40V, CURRENT 0. 1A
Description
The G425SD is designed for low power rectification.
Package Dimensions
1/2
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
2.70 3.10
2.40 2.80
1.40 1.60
0.35 0.50
0 0.10
0.45 0.55
REF.
G
H
K
J
L
M
Millimeter
Min. Max.
1.90 REF.
1.00 1.30
0.10 0.20
0.40 -
0.85 1.15
0 10
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Junction Temperature
Storage Temperature
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Peak Forward Surge Current at 8.3mSec single half sine-wave
Typical Junction Capacitance between Terminal
Maximum Average Forward Rectified Current
Total Power Dissipation
Characteristics at Ta = 25
Characteristics
Maximum Instantaneous Forward Voltage
Maximum Instantaneous Forward Voltage
Maximum Average Reverse Current
Symbol
VF(1)
VF(2)
IR
Symbol
Tj
Tstg
VRRM
VRMS
VDC
IFSM
CJ
Io
PD
Typ.
0.55
0.34
30
Ratings
+125
-40 ~ +125
40
28
40
1.0
6.0
0.1
225
Unit
V
V
V
A
pF
A
mW
Unit Test Condition
V IF(1) = 100mA
V IF(2) = 10mA
uA VR = 10V





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