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G6718 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 G6718은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 G6718 자료 제공

부품번호 G6718 기능
기능 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


G6718 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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G6718 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2005/09/05
REVISED DATE :
G6718
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The G6718 is designed for general purpose medium power amplifier and switching applications.
Features
High Power: 850mW
High Current: 1A
Package Dimensions
D
E
S1
TO-92
S E A T IN G
PLANE
b1
e1
e
b
C
Absolute Maximum Ratings (TA=25 )
Parameter
Symbol
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current (DC)
IC
Collector Current (Pulse)
IC
Base Current
IB
Total Device Dissipation
PD
Junction Temperature
TJ
Storage Temperature
Tstg
REF.
A
S1
b
b1
C
Millimeter
Min. Max.
4.45 4.7
1.02 -
0.36 0.51
0.36 0.76
0.36 0.51
REF.
D
E
L
e1
e
Millimeter
Min. Max.
4.44 4.7
3.30 3.81
12.70
-
1.150 1.390
2.42 2.66
Ratings
100
100
5
1
2
200
850
150
-55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
mA
mW
Electrical Characteristics (TA = 25 unless otherwise noted)
Symbol
Min. Typ. Max. Unit
Test Conditions
BVCBO
100 - - V IC=100uA, IE=0
BVCEO
100 - - V IC=1mA, IB=0
BVEBO
5 - - V IE=10uA, IC=0
ICBO
- - 100 nA VCB=80V, IE=0
*VCE(sat)
- - 350 mV IC=350mA, IB=35mA
*hFE1
80 -
-
VCE=1V, IC=50mA
*hFE2
50 - 300
VCE=1V, IC=250mA
*hFE3
20 -
-
VCE=1V, IC=500mA
fT
50 -
- MHz VCE=10V, IE=50mA, f=100MHz
Cob - - 20 pF VCB=10V, IE=0, f=1MHz
Classification Of hFE2
*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
Rank
Range
A
50 ~ 115
B
95 ~ 300
2%
1/2





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부품번호상세설명 및 기능제조사
G671

(G670 / G671) Microprocessor Reset IC

GMT
GMT
G6718

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

GTM
GTM

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