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GBAS40-05 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GBAS40-05은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 GBAS40-05 자료 제공

부품번호 GBAS40-05 기능
기능 SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GBAS40-05 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GBAS40-05 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
CORPORATION ISSUED DATE :2003/05/05
REVISED DATE :2005/12/20B
GBAS40 thru GBAS40-06
S U RFAC E MO U NT, SC HOT T KY B AR RIE R DIO DE
VOLTAGE 40V, CURRENT 0. 2A
Description
These schottky barrier diodes are designed for high speed switching applications, circuit protection and voltage
clamping. Extremely low forward voltage reduces conduction loss. Miniature surface mount package is
excellent for hand held and portable applications where space is limited.
Package Dimensions
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
2.70 3.10
2.40 2.80
1.40 1.60
0.35 0.50
0 0.10
0.45 0.55
REF.
G
H
K
J
L
M
Millimeter
Min. Max.
1.90 REF.
1.00 1.30
0.10 0.20
0.40 -
0.85 1.15
0° 10°
Absolute Maximum Ratings at TA = 25
Parameter
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Peak Forward Surge Current at tp < 1.0s
Maximum Average Forward Rectified Current
Total Power Dissipation
Symbol
Tj
Tstg
VRRM
R JA
IFSM
Io
PD
Electrical Characteristics (at TA = 25
Parameter
Symbol
Reverse Breakdown Voltage
V(BR)R
Forward Voltage(tp < 300uS)
VF
Reverse Leakage Current
Total Capacitance
Reverse Recover Time
IR
CT
Trr
unless otherwise noted)
Min.
Typ.
Max.
40 -
-
- - 380
- - 1000
- 200
- - 5.0
- - 5.0
Ratings
-55 ~ +125
-55 ~ +150
40
445
0.6
0.2
225
Unit
V
/W
A
A
mW
Unit
V
mV
nA
pF
ns
Test Conditions
IR=10 A
IF1=1mA
IF2=40mA
VR=30V
VR=0V, f=1MHz
IF=IR=10mA, RL=100 , Irr=1mA
GBAS40
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