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STU1855PLS 데이터시트 PDF




SamHop Microelectronics에서 제조한 전자 부품 STU1855PLS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 STU1855PLS 자료 제공

부품번호 STU1855PLS 기능
기능 P-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor
제조업체 SamHop Microelectronics
로고 SamHop Microelectronics 로고


STU1855PLS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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STU1855PLS 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
S T U/D1855P LS
S amHop Microelectronics C orp.
Aug,18 2005
P -C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor
P R ODUC T S UMMAR Y
V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max
-55V
-15A
73 @ VGS = -10V
90 @ VGS = -4.5V
F E AT UR E S
S uper high dense cell design for low R DS(ON).
R ugged and reliable.
TO-252 and TO-251 P ackage.
D
G
S
S TU S E R IE S
T O -252AA(D-P AK )
GDS
S TD S E R IE S
TO-251(l-P AK)
D
G
S
AB S OLUTE MAXIMUM R ATINGS
P arameter
Drain-S ource Voltage R ating
Drain-S ource Voltage
Gate-S ource Voltage
Drain C urrent-C ontinuous a @ Ta
-P ulsed b
25 C
70 C
(TA=25 C unles s otherwis e noted)
S ymbol
V s pike d
VDS
VGS
ID
Limit
60
-55
20
-15
-12
Unit
V
V
V
A
A
IDM -30
A
Drain-S ource Diode Forward C urrent a IS -10
A
Maximum P ower Dissipation a
Operating Junction and S torage
Temperature R ange
Ta= 25 C
Ta=70 C
PD
TJ, TSTG
42
28
-55 to 150
W
C
THE R MAL CHAR ACTE R IS TICS
Thermal R esistance, Junction-to-C ase
R JC
3 C/W
Thermal R esistance, Junction-to-Ambient
1R JA
50
C /W
1




STU1855PLS pdf, 반도체, 판매, 대치품
S TU/D1855PLS
1.3
VDS=VGS
1.2 ID=-250uA
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50 -25 0 25 50 75 100 125
Tj, Junction Temperature ( C)
Figure 5. Gate Threshold Variation
with Temperature
18
15
12
9
6
3
VDS=-15V
0
0 5 10 15 20 25
-IDS, Drain-Source Current (A)
Figure 7. Transconductance Variation
with Drain Current
10
VDS=-30V
8 ID=-5A
6
4
2
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24
Qg, Total Gate Charge (nC)
Figure 9. Gate Charge
4
1.15
ID=-250uA
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
-50 -25 0 25 50 75 100 125
Tj, Junction Temperature ( C)
Figure 6. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
20
10
1
0 TJ=25 C
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
-VSD, Body Diode Forward Voltage (V)
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
60
10 RDS(ON) Limit
1
10ms
1s 100ms
DC
0.1 VGS=-10V
Single Pulse
0.03 Tc=25 C
0.1
1
10 30 60
-VDS, Drain-Source Voltage (V)
Figure 10. Maximum Safe
Operating Area

4페이지










STU1855PLS 전자부품, 판매, 대치품
S TU/D1855P LS
5 35 9 3
95 05
7 41
7 85 30
3
84 0.94
33
45
93
91
6.00 0 36 4
2.29
BSC
0.090
BSC
9.70 1
82 398
1.425
1.625
56 0.064
0.650
0.850
6 33
L2
0.600
REF.
0.024
REF.
7

7페이지


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