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부품번호 | GE02N60 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | GTM | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/01/27
REVISED DATE :2005/12/12B
GE02N60
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
600V
9
2A
Description
The GE02N60 provide the designer with the best combination of fast switching.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications. The device is suited for
DC-DC, DC-AC converters for telecom, industrial and consumer environment.
Features
*Dynamic dv/dt Rating
*Simple Drive Requirement
*Repetitive Avalanche Rated
*Fast Switching
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS@10V
VGS
ID @TC=25
Continuous Drain Current, VGS@10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
ID @TC=100
IDM
PD @TC=25
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
EAS
IAR
Repetitive Avalanche Energy
Operating Junction and Storage Temperature Range
EAR
Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Symbol
Rthj-c
Rthj-a
REF.
A
b
c
D
E
L4
L5
Millimeter
Min. Max.
4.40 4.80
0.76 1.00
0.36 0.50
8.60 9.00
9.80 10.4
14.7 15.3
6.20 6.60
REF.
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
Millimeter
Min. Max.
1.25 1.45
1.17 1.47
13.25 14.25
2.54 REF.
2.60 2.89
3.71 3.96
2.60 2.80
Ratings
600
±20
2
1.26
6
39
0.31
200
2
2
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
Value
3.2
62
Unit
/W
/W
GE02N60
Page: 1/5
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2005/01/27
REVISED DATE :2005/12/12B
Fig 7. Maximum Safe Operating Area Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristics of
Reverse Diode
GE02N60
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Page: 4/5
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
GE02N60 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |
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