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GE13007 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GE13007은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GE13007 자료 제공

부품번호 GE13007 기능
기능 NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE TRANSISTOR
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GE13007 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GE13007 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2005/01/12
REVISED DATE :
GE13007
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE TRANSISTOR
Description
The GE13007 is designed for electronic transformers and power switching circuit applications.
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25
Parameter
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation at Tc=25
Symbol
Tj
Tstg
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
REF.
A
b
c
D
E
L4
L5
Millimeter
Min. Max.
4.40 4.80
0.76 1.00
0.36 0.50
8.60 9.00
9.80 10.4
14.7 15.3
6.20 6.60
REF.
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
Millimeter
Min. Max.
1.25 1.45
1.17 1.47
13.25 14.25
2.54 REF.
2.60 2.89
3.71 3.96
2.60 2.80
Ratings
+150
-55 ~ +150
700
400
9
8
80
Unit
V
V
V
A
W
Electrical Characteristics(Tc = 25
Parameter
Symbol
Collector-Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
BVEBO
Collector Cutoff Current
ICBO
Collector-Emitter Cutoff Current
ICEO
Emitter-Base Cutoff Current
IEBO
Collector-Emitter Saturation Voltage
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
Base-Emitter Saturation Voltage
*VBE(sat)
DC Current Gain
*HFE1
*HFE2
Frequency characteristics
fT
Turn-On Time
ton
Storage Time
tstg
Fall Time
tf
Unless otherwise specified)
Min. Typ. Max. Unit
Test Conditions
400 -
- V IC=10mA , IB=0
700 -
- V IC=1mA , IE=0
9 - - V IE=1mA , IC=0
- - 100 A VCB=700V
- - 50 A VCE=400V
- - 10 A VEB=7V
- - 1.2 V IC=2A, IB=400mA
- - 3.0 V IC=8A, IB=2A
- - 1.2 V IC=2A, IB=400mA
8 - 50
VCE=5V, IC=2A
5-
-
VCE=5V, IC=5A
4 - - MHz VCE=10V, IC=500mA, f=1MHz
- - 1.6
- - 3 s VCC=125V, IC=5A, IB1=IB2=0.4A
- - 0.7
*Pulse Test: Pulse Width=300 s, Duty Cycle
%
1/3





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