|
|
|
부품번호 | GE630 기능 |
|
|
기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | GTM | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/06/24
REVISED DATE :
GE630
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
200V
400m
9A
Description
The GE630 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low
on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation level to
approximately 50 watts. The through-hole version is available for low-profile applications.
Features
*Dynamic dv/dt Rating
*Repetitive Avalanche Rated
*Simple Drive Requirement
*Fast Switching
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current, VGS@10V
Continuous Drain Current, VGS@10V
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
VGS
ID @TC=25
ID @TC=100
IDM
PD @TC=25
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
Avalanche Current
EAS
IAR
Repetitive Avalanche Energy
Operating Junction and Storage Temperature Range
EAR
Tj, Tstg
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Symbol
Rthj-c
Rthj-a
REF.
A
b
c
D
E
L4
L5
Millimeter
Min. Max.
4.40 4.80
0.76 1.00
0.36 0.50
8.60 9.00
9.80 10.4
14.7 15.3
6.20 6.60
REF.
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
Millimeter
Min. Max.
1.25 1.45
1.17 1.47
13.25 14.25
2.54 REF.
2.60 2.89
3.71 3.96
2.60 2.80
Ratings
200
30
9
5.7
36
74
0.59
240
9
7
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
Value
1.7
62
Unit
/W
/W
GE630
Page: 1/5
ISSUED DATE :2005/06/24
REVISED DATE :
Fig 7. Maximum Safe Operating Area Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristics of
Reverse Diode
GE630
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Page: 4/5
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
다운로드 | [ GE630.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
GE630 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |