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GESD1060 데이터시트 PDF




GTM에서 제조한 전자 부품 GESD1060은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 GESD1060 자료 제공

부품번호 GESD1060 기능
기능 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
제조업체 GTM
로고 GTM 로고


GESD1060 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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GESD1060 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
ISSUED DATE :2005/09/05
REVISED DATE :
GESD1060
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The GESD1060 is designed for relay drivers, high-speed inverters, converters and other general large-current
switching.
Features
Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE (sat) =0.4V (Max.) @ IC=3A, IB=0.3A,
Package Dimensions
Absolute Maximum Ratings (TA=25 )
Parameter
Symbol
Collector to Base Voltage
VCBO
Collector to Emitter Voltage
VCEO
Emitter to Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Collector Current (Pulse)
ICP
Total Device Dissipation (TC=25 )
PD
Junction Temperature
TJ
Storage Temperature
Tstg
REF.
A
b
c
D
E
L4
L5
Millimeter
Min. Max.
4.40 4.80
0.76 1.00
0.36 0.50
8.60 9.00
9.80 10.4
14.7 15.3
6.20 6.60
REF.
c1
b1
L
e
L1
Ø
A1
Millimeter
Min. Max.
1.25 1.45
1.17 1.47
13.25 14.25
2.54 REF.
2.60 2.89
3.71 3.96
2.60 2.80
Ratings
60
50
6
5
9
30
150
-55 ~ +150
Unit
V
V
V
A
A
W
Electrical Characteristics (TA = 25
Symbol
Min.
Typ.
BVCBO
60 -
BVCEO
50 -
BVEBO
6-
ICBO
--
IEBO
--
*VCE(sat)
--
*hFE1
70 -
*hFE2
30 -
fT - 30
Cob - 100
ton (Turn-on Time)
-
0.1
tstg (Storage Time)
-
1.4
tf (Fall Time)
- 0.2
unless otherwise noted)
Max.
Unit
Test Conditions
- V IC=1mA, IE=0
- V IC=1mA, IB=0
- V IE=1mA, IC=0
100 uA VCB=40V, IE=0
100 uA VEB=4V, IC=0
0.4 V IC=3A, IB=0.3A
280 VCE=2V, IC=1A
- VCE=2V, IC=3A
- MHz VCE=5V, IC=1A
- pF VCB=10V, IE=0, f=1MHz
-
- uS See specified test circuit
-
*Pulse Test: Pulse Width 380 s, Duty Cycle
2%
GESD1060
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