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부품번호 | GI03N70 기능 |
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기능 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | ||
제조업체 | GTM | ||
로고 | |||
www.DataSheet4U.com
Pb Free Plating Product
ISSUED DATE :2005/01/05
REVISED DATE :
GI03N70
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
600V
4.0
3.3A
Description
The GI03N70 is specially designed as main switching devices for universal 90~265VAC off-line AC/DC
converter applications.
The TO-251 package is available for low-profile applications and suited for AC/DC converters.
Features
*Dynamic dv/dt Rating
*Simple Drive Requirement
*Repetitive Avalanche Rated
*Fast Switching Speed
Package Dimensions
TO-251
REF.
A
B
C
D
E
F
Millimeter
Min. Max.
6.40 6.80
5.20 5.50
6.80 7.20
7.20 7.80
2.30 REF.
0.60 0.90
REF.
G
H
J
K
L
M
Millimeter
Min. Max.
0.50 0.70
2.20 2.40
0.45 0.55
0.45 0.60
0.90 1.50
5.40 5.80
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
VGS
Continuous Drain Current, VGS@10V
ID @TC=25
Continuous Drain Current, VGS@10V
Pulsed Drain Current1
ID @TC=100
IDM
Total Power Dissipation
PD @TC=25
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy2
EAS
Avalanche Current
IAR
Repetitive Avalanche Energy
EAR
Operating Junction and Storage Temperature Range Tj, Tstg
Ratings
600
±30
3.3
2.1
13.2
45
0.36
85
3.3
3.3
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
mJ
A
mJ
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Symbol
Rthj-c
Rthj-a
Value
2.8
110
Unit
/W
/W
GI03N70
Page: 1/5
ISSUED DATE :2005/01/05
REVISED DATE :
Fig 7. Maximum Safe Operating Area Fig 8. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
Fig 11. Forward Characteristics of
Reverse Diode
GI03N70
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Page: 4/5
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
GI03N70 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |
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