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KHB9D5N20F2 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 KHB9D5N20F2은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KHB9D5N20F2 자료 제공

부품번호 KHB9D5N20F2 기능
기능 (KHB9D5N20F1/F2/P1) N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
제조업체 KEC
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KHB9D5N20F2 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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KHB9D5N20F2 데이터시트, 핀배열, 회로
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TECHNICAL DATA
General Description
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent
avalanche characteristics. It is mainly suitable for electronic ballast and
switch mode power supplies.
FEATURES
VDSS=200V, ID=9.5A
Drain-Source ON Resistance
: RDS(ON)=400m @VGS = 10V
Qg(typ.)=18.5nC
MAXIMUM RATING (Tc=25 )
CHARACTERISTIC
RATING
SYMBOL
KHB9D5N20F1 UNIT
KHB9D5N20P1
KHB9D5N20F2
Drain-Source Voltage
VDSS
200
V
Gate-Source Voltage
Drain Current
@TC=25
Pulsed (Note1)
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
Drain Power
Dissipation
Tc=25
Derate above25
VGSS
ID
IDP
EAS
EAR
dv/dt
PD
30
9.5 9.5*
38 38*
180
8.7
5.5
87 40
0.7 0.32
V
A
mJ
mJ
V/ns
W
W/
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Thermal Characteristics
Tj
Tstg
150
-55 150
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-
Ambient
RthJC
RthJA
1.44
62.5
3.13 /W
62.5 /W
PIN CONNECTION
D
G
2007. 5. 10
S
Revision No : 0
KHB9D5N20P1/F1/F2
N CHANNEL MOS FIELD
EFFECT TRANSISTOR
KHB9D5N20P1
A
E
I
K
M
D
NN
F
G
B
Q
L
J
O
C
P
H
123
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 9.9 +_ 0.2
B 15.95 MAX
C 1.3+0.1/-0.05
D 0.8 +_ 0.1
E 3.6 +_ 0.2
F 2.8 +_ 0.1
G 3.7
H 0.5+0.1/-0.05
I 1.5
J 13.08 +_ 0.3
K 1.46
L 1.4 +_ 0.1
M 1.27 +_ 0.1
N 2.54 +_ 0.2
O 4.5 +_ 0.2
P 2.4 +_ 0.2
Q 9.2 +_ 0.2
TO-220AB
KHB9D5N20F1
AC
E
LM
D
NN
123
R
H
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 10.16 +_ 0.2
B 15.87 +_ 0.2
C 2.54 +_ 0.2
D 0.8 +_ 0.1
E 3.18 +_ 0.1
F 3.3 +_ 0.1
G 12.57 +_ 0.2
H 0.5 +_ 0.1
J 13.0 MAX
K 3.23 +_ 0.1
L 1.47 MAX
M 1.47 MAX
N 2.54 +_ 0.2
O 6.68 +_ 0.2
Q 4.7 +_ 0.2
R 2.76 +_ 0.2
TO-220IS (1)
KHB9D5N20F2
AC
S
E
LL
M
DD
NN
123
R
H
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
DIM MILLIMETERS
A 10.0 +_0.3
B 15.0+_ 0.3
C 2.70+_ 0.3
D 0.76+0.09/-0.05
E Φ3.2 +_0.2
F 3.0+_0.3
G 12.0 +_0.3
H 0.5+0.1/-0.05
J 13.6 +_0.5
K 3.7+_ 0.2
L 1.2+0.25/-0.1
M 1.5+0.25/-0.1
N 2.54 +_0.1
P 6.8 +_0.1
Q 4.5+_ 0.2
R 2.6+_ 0.2
S 0.5 Typ
TO-220IS
1/7




KHB9D5N20F2 pdf, 반도체, 판매, 대치품
KHB9D5N20P1/F1/F2
2500
2000 Ciss
1500
1000
500
Coss
Crss
Fig7. C - VDS
Frequency =1MHz
0
10-1
100 101
Drain - Source Voltage VDS (V)
Fig9. Safe Operation Area
(KHB9D5N20P1)
Operation in this
102 area is limited by RDS(ON)
101 100µs
100
TC= 25 C
Tj = 150 C
Single nonrepetitive pulse
10-1100
101
1ms
10ms
100ms
DC
102
Drain - Source Voltage VDS (V)
Fig11. ID - Tj
12
10
8
6
4
2
0
25 50 75 100 125 150
Junction Temperature Tj ( C)
2007. 5. 10
Revision No : 0
12 ID= 9.5A
10
8
6
Fig8. Qg- VGS
VDS = 50V
VDS = 125V
VDS = 200V
4
2
0
0 5 10 15
Gate - Charge Qg (nC)
20
Fig10. Safe Operation Area
(KHB9D5N20F1, KHB9D5N20F2)
102 Operation in this
area is limited by RDS(ON)
100 µs
101
1 ms
100 10 ms
TC= 25 C
Tj = 150 C
10-1 Single nonrepetitive pulse
100 101
100 ms
DC
102
Drain - Source Voltage VDS (V)
4/7

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KHB9D5N20F2 전자부품, 판매, 대치품
KHB9D5N20P1/F1/F2
Fig16. Resistive Load Switching
0.5 VDSS
25
10V VGS
VDS
RL 90%
VDS VGS 10%
td(on) tr
ton
tf
td(off)
toff
Fig17. Source - Drain Diode Reverse Recovery and dv /dt
IF
0.8 x VDSS
DUT
driver
10V VGS
VDS
IS
ISD
(DUT)
Body Diode Forword Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
VDS
(DUT)
Body Diode Recovery dv/dt
VSD
VDD
Body Diode Forword Voltage drop
2007. 5. 10
Revision No : 0
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