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부품번호 | MG300Q2YS65H 기능 |
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기능 | IGBT Module Silicon N Channel IGBT | ||
제조업체 | Toshiba Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 6 페이지수
www.DataSheet4U.com
MG300Q2YS65H
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
MG300Q2YS65H
High Power & High Speed Switching
Applications
Unit: mm
· High input impedance
· Enhancement-mode
· The electrodes are isolated from case.
Equivalent Circuit
E1
E2
C1 E2
G1 E1/C2 G2
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-emitter voltage
Gate-emitter voltage
Collector current
DC
1 ms
Forward current
DC
1 ms
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
Junction temperature
Storage temperature range
Isolation voltage
Screw torque
Terminal
Mounting
Symbol
VCES
VGES
IC
ICP
IF
IFM
PC
Tj
Tstg
VIsol
¾
¾
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 430 g (typ.)
Rating
1200
±20
300
600
300
600
2700
150
-40 to 125
2500
(AC 1 minute)
3
3
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N▪m
―
―
2-109C4A
1 2003-03-11
Switching time – IC
1
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
Rg = 2.7 W
ton
0.1
td (on)
0.01
10
tr
: Tc = 25°C
: Tc = 125°C
100
Collector current IC (A)
1000
MG300Q2YS65H
Switching time – IC
1
toff td (off)
0.1
0.01
10
: Tc = 25°C
: Tc = 125°C
tf
100
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 2.7 W
1000
Collector current IC (A)
Switching time – RG
1
ton
0.1 tr
td (on)
0.01
1
: Tc = 25°C
: Tc = 125°C
10
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 300 A
VGE = ±15 V
100
Gate resistance RG (9)
Switching time – RG
10
toff
1
td (off)
0.1
0.01
1
tf
: Tc = 25°C
: Tc = 125°C
10
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 300 A
VGE = ±15 V
100
Gate resistance RG (9)
Switching loss – IC
100
: Tc = 25°C
: Tc = 125°C
Eon
Eoff
10
Edsw
Common emitter
VCC = 600 V
VGE = ±15 V
RG = 2.7 W
1
10 100 1000
Collector current IC (A)
Switching loss – RG
100
Eon
Eoff
10
Edsw
: Tc = 25°C
: Tc = 125°C
1
1 10
Common emitter
VCC = 600 V
IC = 300 A
VGE = ±15 V
100
Gate resistance RG (9)
4 2003-03-11
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