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MG800J2YS50A 데이터시트 PDF




Mitsubishi Electric에서 제조한 전자 부품 MG800J2YS50A은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 MG800J2YS50A 자료 제공

부품번호 MG800J2YS50A 기능
기능 High power switching applications Motor control applications
제조업체 Mitsubishi Electric
로고 Mitsubishi Electric 로고


MG800J2YS50A 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 9 페이지수

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MG800J2YS50A 데이터시트, 핀배열, 회로
www.DataSheet4U.com
MITSUBISHI IGBT Module
MG800J2YS50A
High power switching applications
Motor control applications
MG800J2YS50A
The electrodes are isolated from case.
Enhancement-mode
Thermal output terminal (TH)
Equivalent Circuit
TH1
TH2
G1
Fo1
E1
C1
E1/C2
G2
Fo2
E2
E2
2004-10-01 1/9




MG800J2YS50A pdf, 반도체, 판매, 대치품
Thermistor
Characteristics
Symbol
Test Condition
Zero power resistance
B value
Isolation voltage
R25
R25/85
Tc = 25°C
Tc = 25°C/Tc = 85°C
Tc = 25°C
Note: Switching time measurement circuit and input/output waveforms
MG800J2YS50A
Min Typ. Max Unit
100 k
4390
K
2500
Vrms
VGE
RG
IC
RG
IF
VCC
L
VCE
VGE
0
90%
IC
90%
0
td (off)
10%
tf
toff
10%
trr
90%
10%
td (on)
tr
ton
2004-10-01 4/9

4페이지










MG800J2YS50A 전자부품, 판매, 대치품
10000
Switching time – IC
1000
td (on)
toff
ton
td (on)
tr
100
tf
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
Tj = 25°C
RG = 4.7
Tj = 125°C
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
Collector current IC (A)
1000
trr, Irr – IF
trr
100 Irr
10
Common cathode
di/dt = 2000 A/µs
VGE = ±15 V
VCC = 300 V
Tj = 25°C
Tj = 125°C
1
0 200 400 600 800
Forward current IF (A)
MG800J2YS50A
Switching loss – IC
100
Eoff
50
30
Eon
10
5
3 Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
Tj = 25°C
RG = 4.7
Tj = 125°C
1
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
Collector current IC (A)
1000
100
Common cathode
di/dt = 2000 A/µs
VGE = −10 V
VCC = 300 V
Edsw – IF
Tj = 25°C
Tj = 125°C
10
1
0 200 400 600 800
Forward current IF (A)
2004-10-01 7/9

7페이지


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