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Número de pieza | GTS217E | |
Descripción | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | |
Fabricantes | GTM | |
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ISSUED DATE :2004/10/13
REVISED DATE :2006/12/25B
GTS217E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
BVDSS
RDS(ON)
ID
20V
22m
7A
Description
The GTS217E provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
ultra low on-resistance and cost-effectiveness.
Features
*Low on-resistance
*Capable of 2.5V gate drive
*Optimal DC/DC battery application
Package Dimensions
REF.
A
A1
b
c
D
Millimeter
Min. Max.
- 1.20
0.05
0.15
0.19
0.30
0.09
0.20
2.90
3.10
REF.
E
E1
e
L
S
Millimeter
Min. Max.
6.20
6.60
4.30
4.50
0.65 BSC
0.45
0.75
0° 8°
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
VDS
VGS
ID @TA=25
ID @TA=70
IDM
PD @TA=25
Tj, Tstg
Ratings
20
±12
7
5.7
30
1.5
0.012
-55 ~ +150
Unit
V
V
A
A
A
W
W/
Thermal Data
Parameter
Thermal Resistance Junction-ambient3 Max.
Symbol
Rthj-a
Value
83
Unit
/W
GTS217E
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PDF Descargar | [ Datasheet GTS217E.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
GTS217E | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | GTM |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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